Ok APA - Automatyka Podzespoły Aplikacje Zamów nowe wydanie
Arrow left icon Powrót

Artykuły Produkty
Podzespoły energoelektroniczne
Przetwornice AC-DC serii RAC03-G i RAC04-G w wersjach na szerszy zakres napięć wyjściowych
3- i 4-watowe przetwornice AC-DC serii RAC03-G i RAC04-G firmy Recom są obecnie produkowane w wersjach ...
Obudowy dla urządzeń
Złącza niskoprofilowe do łączenia listew LED
Firma Contrans TI posiada w ofercie rodzinę złączy SMDflat 345 zaprojektowanych specjalnie do listew ...
Podzespoły elektromechaniczne
Ogranicznik przepięć typu 2 do montażu na płytkach drukowanych
Większość urządzeń elektronicznych przeznaczonych do pracy w warunkach przemysłowych wymaga zwiększenia ...
Podzespoły energoelektroniczne
30-amperowe przetwornice DC-DC z interfejsem PMBus
Renesas Electronics informuje o wprowadzeniu na rynek dwóch modułowych przetwornic DC-DC z interfejsem ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Szybki 8-kanałowy 18-bitowy przetwornik A/C SAR do aparatury pomiarowej
LTC2358-18 to niskoszumowy 18-bitowy 8-kanałowy przetwornik A/C SAR z równoczesnym próbkowaniem wejść, ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Optotriak dużej mocy odporny na impulsy o szybkości narastania do 600 V/µs
VO2223B to optotriak o napięciu znamionowym 600 V i dopuszczalnym prądzie przewodzenia 1 A rms, przeznaczony ...
Źródła zasilania
Zasilacze modułowe o niskim poziomie hałasu
TDK Lambda wprowadza do oferty serię modułowych zasilaczy AC-DC QM, której cechą szczególną jest ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Miniaturowy transil o pojemności wewnętrznej 0,17 pF w obudowie 0,6 x 0,3 mm
Oferta firmy Diodes powiększyła się o ultraminiaturowy transil o symbolu DESD3V3Z1BCSF, wyróżniający ...
Obudowy dla urządzeń
Zminiaturyzowane złącza do instalacji elektrycznych i systemów oświetleniowych z diodami LED
Firma Adels Contact wprowadziła na rynek rodzinę złączy i kabli AC164, będących zminiaturyzowanymi ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Pierwsze na rynku tranzystory GaN FET 100 i 200 V o zwiększonej odporności na promieniowanie
Renesas Electronics wprowadza na rynek pierwsze 100- i 200-woltowe tranzystory GaN FET o zwiększonej ...