Pamięci półprzewodnikowe, takie jak MRAM czy PRAM, były do dawna uważane za bardzo obiecujące i przyszłościowe, choć nie miało to przełożenia na rynek, głównie ze względu na niewystarczające zaawansowanie technologiczne tych układów. Wraz z tym, jak kilka miesięcy temu Freescale Semiconductor skomercjalizował układy pamięci magnetorezystancyjnych, wydaje się, że sytuacja się zmienia. Potwierdza to komunikat z firmy Samsung, która opracowała prototyp pamięci PRAM (Phase-change Random Access Memory) o pojemności 512 Mbit.
Samsung ocenia, że PRAM jest jednym z głównych kandydatów do zastąpienia w najbliższych latach układów stosowanych jako pamięci nieulotne o dużych gęstościach zapisu informacji (głównie NOR Flash). Do cech nowych pamięci należy zaliczyć łatwość skalowania rozmiarów technologicznych, dużą szybkość zapisu i odczytu danych (około 30 razy szybciej niż Flash), jak też zdecydowanie dłuższą trwałość niż w przypadku pamięci tradycyjnych. Według oceny przedstawicieli firmy Samsung układy PRAM mogą być dostępne komercyjnie już w 2008 roku.
LG Chem plans to invest 3.8 trillion won ($3.5 billion) for capital expenditures this year, a 52 percent increase year-on-year, to strengthen the competitive power of its existing businesses and nurture new business models. The nation's leading chemical firm spent a record-high 900 billion won on R&D last year, saying it will raise its investment in this area by more than 10 percent every year. This year, the company has come up with the new goal of jumping into the global top five chemical companies by 2025 by expanding its investments in its units of basic materials, batteries, electronic information materials and life science. In the area of basic materials, the firm will advance its higher value-added business and concentrate on promising materials to reinforce its competitive power globally.
więcej na: www.koreatimes.co.kr
