Samsung chce być pierwszy z PRAM

Pamięci półprzewodnikowe, takie jak MRAM czy PRAM, były do dawna uważane za bardzo obiecujące i przyszłościowe, choć nie miało to przełożenia na rynek, głównie ze względu na niewystarczające zaawansowanie technologiczne tych układów. Wraz z tym, jak kilka miesięcy temu Freescale Semiconductor skomercjalizował układy pamięci magnetorezystancyjnych, wydaje się, że sytuacja się zmienia. Potwierdza to komunikat z firmy Samsung, która opracowała prototyp pamięci PRAM (Phase-change Random Access Memory) o pojemności 512 Mbit.

Samsung ocenia, że PRAM jest jednym z głównych kandydatów do zastąpienia w najbliższych latach układów stosowanych jako pamięci nieulotne o dużych gęstościach zapisu informacji (głównie NOR Flash). Do cech nowych pamięci należy zaliczyć łatwość skalowania rozmiarów technologicznych, dużą szybkość zapisu i odczytu danych (około 30 razy szybciej niż Flash), jak też zdecydowanie dłuższą trwałość niż w przypadku pamięci tradycyjnych. Według oceny przedstawicieli firmy Samsung układy PRAM mogą być dostępne komercyjnie już w 2008 roku.

Posłuchaj
00:00
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Produkcja elektroniki
Branża motoryzacyjna obiera kurs na RISC-V
Aktualności
Polscy konsumenci gromadzą nieużywaną elektronikę wartą 112 mld zł
Mikrokontrolery i IoT
Coraz więcej możliwości komunikacji satelitarnej w IoT
Optoelektronika
Automatyczna inspekcja optyczna 3D - pierwszy w Polsce nowy system Viscom
Pomiary
KIOXIA i Linus Media Group ustanawiają światowy rekord w obliczeniach liczby Pi
Produkcja elektroniki
Pierwszy 2-nanometrowy układ firmy MediaTek już we wrześniu
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Targi zagraniczne
Elmässan Stockholm 2025
Magazyn
Maj 2025
Magazyn
Kwiecień 2025
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów