Samsung chce być pierwszy z PRAM

Pamięci półprzewodnikowe, takie jak MRAM czy PRAM, były do dawna uważane za bardzo obiecujące i przyszłościowe, choć nie miało to przełożenia na rynek, głównie ze względu na niewystarczające zaawansowanie technologiczne tych układów. Wraz z tym, jak kilka miesięcy temu Freescale Semiconductor skomercjalizował układy pamięci magnetorezystancyjnych, wydaje się, że sytuacja się zmienia. Potwierdza to komunikat z firmy Samsung, która opracowała prototyp pamięci PRAM (Phase-change Random Access Memory) o pojemności 512 Mbit.

Samsung ocenia, że PRAM jest jednym z głównych kandydatów do zastąpienia w najbliższych latach układów stosowanych jako pamięci nieulotne o dużych gęstościach zapisu informacji (głównie NOR Flash). Do cech nowych pamięci należy zaliczyć łatwość skalowania rozmiarów technologicznych, dużą szybkość zapisu i odczytu danych (około 30 razy szybciej niż Flash), jak też zdecydowanie dłuższą trwałość niż w przypadku pamięci tradycyjnych. Według oceny przedstawicieli firmy Samsung układy PRAM mogą być dostępne komercyjnie już w 2008 roku.

Posłuchaj
00:00
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Projektowanie i badania
Dania chce mieć najpotężniejszy na świecie komputer kwantowy
Elektromechanika
Dold wzmacnia międzynarodową obecność - tworzy nowy oddział sprzedaży w Polsce
Projektowanie i badania
Tranzystory diamentowe odmienią elektronikę dużej mocy
Zasilanie
Nowy standard ładowania EV: EVerged i AMPECO połączą siły, by stworzyć sieć 5000 punktów w 2 lata
Aktualności
Portugalia potęgą w zakresie centrów danych?
Optoelektronika
Fotonika dla AI: iPronics i Ansys łączą siły, by zwiększyć niezawodność infrastruktury centrów danych
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Magazyn
Lipiec 2025
Magazyn
Czerwiec 2025
Targi zagraniczne
Elmässan Stockholm 2025
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów