wersja mobilna
Online: 2209 Czwartek, 2017.12.14

Biznes

Samsung chce być pierwszy z PRAM

środa, 15 listopada 2006 11:07

Pamięci półprzewodnikowe, takie jak MRAM czy PRAM, były do dawna uważane za bardzo obiecujące i przyszłościowe, choć nie miało to przełożenia na rynek, głównie ze względu na niewystarczające zaawansowanie technologiczne tych układów. Wraz z tym, jak kilka miesięcy temu Freescale Semiconductor skomercjalizował układy pamięci magnetorezystancyjnych, wydaje się, że sytuacja się zmienia. Potwierdza to komunikat z firmy Samsung, która opracowała prototyp pamięci PRAM (Phase-change Random Access Memory) o pojemności 512 Mbit.

Samsung ocenia, że PRAM jest jednym z głównych kandydatów do zastąpienia w najbliższych latach układów stosowanych jako pamięci nieulotne o dużych gęstościach zapisu informacji (głównie NOR Flash). Do cech nowych pamięci należy zaliczyć łatwość skalowania rozmiarów technologicznych, dużą szybkość zapisu i odczytu danych (około 30 razy szybciej niż Flash), jak też zdecydowanie dłuższą trwałość niż w przypadku pamięci tradycyjnych. Według oceny przedstawicieli firmy Samsung układy PRAM mogą być dostępne komercyjnie już w 2008 roku.

 

World News 24h

środa, 13 grudnia 2017 20:07

Lite-On Technology Corp said that Tsinghua Unigroup Ltd is to inject US$55 million for a 55 percent stake in its subsidiary in Suzhou to jointly develop the Chinese market. The announcement came less than three months after Lite-On on Sept. 28 announced that it would invest US$45 million to establish a subsidiary and build a plant for storage products, such as solid-state drives, in Suzhou. Tsinghua Unigroup and Lite-On had held collaborative talks on setting up a storage business for more than six months before Lite-On’s announcement in September, a Lite-On investor relations officer said. “We believe that the two firms’ cooperation will create synergy and pave the way for developing China’s growing storage market,” the officer said by telephone.

więcej na: www.taipeitimes.com