wersja mobilna
Online: 686 Czwartek, 2018.02.22

Biznes

Samsung chce być pierwszy z PRAM

środa, 15 listopada 2006 11:07

Pamięci półprzewodnikowe, takie jak MRAM czy PRAM, były do dawna uważane za bardzo obiecujące i przyszłościowe, choć nie miało to przełożenia na rynek, głównie ze względu na niewystarczające zaawansowanie technologiczne tych układów. Wraz z tym, jak kilka miesięcy temu Freescale Semiconductor skomercjalizował układy pamięci magnetorezystancyjnych, wydaje się, że sytuacja się zmienia. Potwierdza to komunikat z firmy Samsung, która opracowała prototyp pamięci PRAM (Phase-change Random Access Memory) o pojemności 512 Mbit.

Samsung ocenia, że PRAM jest jednym z głównych kandydatów do zastąpienia w najbliższych latach układów stosowanych jako pamięci nieulotne o dużych gęstościach zapisu informacji (głównie NOR Flash). Do cech nowych pamięci należy zaliczyć łatwość skalowania rozmiarów technologicznych, dużą szybkość zapisu i odczytu danych (około 30 razy szybciej niż Flash), jak też zdecydowanie dłuższą trwałość niż w przypadku pamięci tradycyjnych. Według oceny przedstawicieli firmy Samsung układy PRAM mogą być dostępne komercyjnie już w 2008 roku.

 

World News 24h

środa, 21 lutego 2018 20:04

NI announced plans to collaborate with Samsung Electronics Co. to develop 5G test UEs for 5G New Radio. The first public demonstration of this collaboration will show Samsung’s 28 GHz base station communicating with an NI test UE at MWC 2018 in Barcelona next week. The 3GPP officially released a first draft of the 5G NR standard in December 2017. An important next step in the formation of a new 5G ecosystem calls for equipment and device manufacturers to test their implementations that conform to this standard with each other to achieve the goal of interoperability. Interoperability device testing determines whether the base station and device can establish and maintain a robust communication link capable of achieving 5G performance in prescribed test conditions.

więcej na: www.ni.com