Samsung chce być pierwszy z PRAM

Pamięci półprzewodnikowe, takie jak MRAM czy PRAM, były do dawna uważane za bardzo obiecujące i przyszłościowe, choć nie miało to przełożenia na rynek, głównie ze względu na niewystarczające zaawansowanie technologiczne tych układów. Wraz z tym, jak kilka miesięcy temu Freescale Semiconductor skomercjalizował układy pamięci magnetorezystancyjnych, wydaje się, że sytuacja się zmienia. Potwierdza to komunikat z firmy Samsung, która opracowała prototyp pamięci PRAM (Phase-change Random Access Memory) o pojemności 512 Mbit.

Samsung ocenia, że PRAM jest jednym z głównych kandydatów do zastąpienia w najbliższych latach układów stosowanych jako pamięci nieulotne o dużych gęstościach zapisu informacji (głównie NOR Flash). Do cech nowych pamięci należy zaliczyć łatwość skalowania rozmiarów technologicznych, dużą szybkość zapisu i odczytu danych (około 30 razy szybciej niż Flash), jak też zdecydowanie dłuższą trwałość niż w przypadku pamięci tradycyjnych. Według oceny przedstawicieli firmy Samsung układy PRAM mogą być dostępne komercyjnie już w 2008 roku.

Posłuchaj
00:00
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Mikrokontrolery i IoT
10 miliardów chipów z Integrity Guard Infineona
Optoelektronika
HIKMICRO SuperScene – przełom w termowizji AI dla inspekcji budynków, rozdzielnic i PCB
Produkcja elektroniki
AMD na fali wzrostowej - rekordowy udział w przychodach z serwerów
Aktualności
Digitalizacja pola walki postępuje
Komponenty
„Superczipy” Nvidii napędzają najszybszy superkomputer w Europie
Aktualności
Mouser Electronics po raz szósty z nagrodą Amphenol za najlepszą dystrybucję cyfrową komponentów elektronicznych
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Magazyn
Czerwiec 2025
Targi zagraniczne
Elmässan Stockholm 2025
Magazyn
Maj 2025
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów