Czy półprzewodniki mogą naprawdę zmienić reguły gry w radiokomunikacji? Najnowszy „Elektronik” pokazuje, że ta zmiana już się dzieje – i nabiera tempa szybciej, niż wielu chciałoby to przyznać. W centrum uwagi znalazła się technologia GaN-on-Si, która po dwóch dekadach badań i eksperymentów wchodzi właśnie w fazę dojrzałości i masowej produkcji, realnie podważając pozycję dotychczasowych rozwiązań w.cz.
To opowieść o cierpliwości i przełomach. Autor prowadzi czytelnika przez lata materiałowych barier, trudnych kompromisów i momentów, w których technologia była o krok od porażki. Wyjaśnia, dlaczego połączenie azotku galu z krzemem tak długo pozostawało wyzwaniem, co zmieniło się po 2019 roku i dlaczego dziś GaN-on-Si wyrasta na poważną alternatywę dla LDMOS, GaAs, a nawet GaN-on-SiC – szczególnie w kontekście systemów 5G i wzmacniaczy mocy RF.
Ten tekst nie operuje hasłami bez pokrycia. Są liczby, parametry i konkretne argumenty: gęstość mocy, sprawność energetyczna, przewodnictwo cieplne, koszty wytwarzania oraz możliwości integracji z technologią CMOS. To właśnie one pokazują, dlaczego zmiana technologiczna, na którą czekano latami, może teraz dokonać się zaskakująco szybko.
Jeśli chcesz zrozumieć, co naprawdę stoi za hasłami „nowa generacja” i „technologiczny przełom”, sięgnij po najnowszy numer Elektronika. To lektura dla tych, którzy nie tylko śledzą trendy, ale chcą wiedzieć, skąd się biorą i dokąd prowadzą.
