Ok APA - Automatyka Podzespoły Aplikacje Zamów nowe wydanie
Arrow left icon Powrót

Artykuły Produkty
Systemy pomiarowe
Precyzyjne źródło częstotliwości 10 MHz / ±0,3 ppm
Firma Abracon opracowała precyzyjne przenośne źródło częstotliwości Sync’n Go przeznaczone zarówno ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Głowice nadawczo-odbiorcze 2,4 GHz do urządzeń standardu IEEE802.11b/g/n
Głowice nadawczo-odbiorcze RF5605 i RFFM4200-03 zostały zaprojektowane do zastosowań w urządzeniach ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Specjalizowany kontroler DC-DC do układów zasilania pamięci DDR/DDR2/DDR3
Linear Technology rozszerza ofertę układów zasilania o specjalizowany kontroler przetwornicy DC-DC ...
Podzespoły pasywne
Wysokonapięciowe kondensatory SMD do 2500V zabezpieczone przed łukowym przebiciem izolacji
Vishay Intertechnology posiada w ofercie serię wysokonapięciowych kondensatorów chipowych VJ HVArc ...
Systemy pomiarowe
4-kanałowy moduł przetworników C/A o szybkości próbkowania 1,25 GHz
Najnowszy 4-kanałowy moduł przetworników C/A firmy Pentek, Cobalt 71760 może znaleźć zastosowanie ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Ultraniskoszumowy syntezer częstotliwości na zakres 350...6000 MHz
LTC6945 jest ultraniskoszumowym syntezerem częstotliwości z dzielnikiem całkowitym, pracującym w ...
Moduły elektroniczne OEM
Energooszczędny moduł WiFi 802.11 b/g o poborze prądu 4µA w trybie uśpienia
 RN-XVee to najnowszy moduł komunikacji bezprzewodowej opracowany przez firmę Roving Networks, ...
Podzespoły pasywne
Miniaturowe ekranowane cewki SMD w obudowach 1812, 1210 i 1008
API Delevan wprowadza do oferty trzy serie miniaturowych, ekranowanych cewek SMD produkowanych w obudowach ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Scalony koder/dekoder MP3 do urządzeń multimedialnych z obsługą pamięci USB i SD
Firma Rohm rozszerzyła ofertę scalonych koderów/dekoderów MP3 z portem USB przeznaczonych do zastosowań ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Niskoszumowe wzmacniacze GPS z obwodem aktywnego tłumienia sygnałów zakłócających
NXP Semiconductors prezentuje nową serię wzmacniaczy niskoszumowych zrealizowanych w procesie SiGe:C ...