Elementy optoelektroniczne
Źródło IR LED dużej mocy o dominującej długości fali 850 nm
Firma Opto Diode wprowadza na rynek źródło IR LED dużej mocy, wyprodukowane w technologii GaAlAs, przeznaczone do zastosowań w systemach monitoringu i aplikacjach night vision. Model OD-663-850 pracuje na dominującej długości fali 850 nm. Charakteryzuje się mocą wyjściową wynoszącą 300 mW (maks. 425 mW @ IF=300 mA) i napięciem przewodzenia 4,5 V (maks. 5,4 V). Jest produkowany w 2-wyprowadzeniowej obudowie TO-66 o wymiarach 31,9 x 17,8 x 4,3 mm. Może pracować w zakresie temperatury otoczenia od -40 do 100°C.
Elementy optoelektroniczne
8-calowe wyświetlacze TFT linii Rugged+ z matrycą IPS o jasności 1200 cd/m²
Tajwańska firma Kaohsiung Opto-Electronics powiększyła ofertę 8-calowych wyświetlaczy TFT linii Rugged+ o dwa nowe modele: TX20D208VM0BAA i TX20D208VM0BAB. Są to wyświetlacze panoramiczne o proporcjach ekranu 16:9 i rozdzielczości WVGA (800 x 480 pikseli), wyposażone w matrycę IPS o bardzo dobrych parametrach optycznych, w tym dużym nasyceniu kolorów i kontraście, głębokim poziomie czerni oraz szerokich kątach widzenia, wynoszących po 176° w poziomie i w pionie. Charakteryzują się one współczynnikiem kontrastu 1000:1. Zawierają matrycę podświetlającą LED o jasności 1200 cd/m², której żywotność, określona zmniejszeniem się jasności o połowę, wynosi 100 tys. godzin.
Podzespoły półprzewodnikowe
Czujnik obrazu CMOS 1080p/120 fps do systemów wizyjnych i AR/VR
Najnowszy czujnik obrazu z oferty ON Semiconductor, AR0234CS, zapewnia szybkość rejestracji obrazu wynoszącą 120 fps przy rozdzielczości 1080p. Jest czujnikiem CMOS formatu 1/2,6”, pracującym w trybie rejestracji global shutter, mogącym znaleźć zastosowanie w przemysłowych systemach wizyjnych, aplikacjach sztucznej/wirtualnej rzeczywistości i robotach autonomicznych (AMR). Zapewnia szeroki zakres dynamiczny, umożliwiając pracę w różnych warunkach oświetleniowych.
Elementy optoelektroniczne
Fotoprzekaźniki w obudowach P-SON4 do aplikacji o dużej gęstości upakowania podzespołów
Do oferty firmy Toshiba wchodzą trzy małogabarytowe fotoprzekaźniki zamykane w obudowach P-TSON4 o wymiarach 3,4 x 2,1 x 1,3 mm, zaprojektowane do zastosowań w aplikacjach o dużej gęstości upakowania podzespołów, TLP3480, TLP3481 i TLP3482. Ich parametry, w tym dopuszczalne napięcie wyjściowe w stanie Off (odpowiednio 30 V, 60 V i 100 V) oraz dopuszczalny prąd w stanie On (odpowiednio 4,5 A, 3 A i 2 A), odpowiadają znacznie większym odpowiednikom zamykanym w obudowach SOP4 i SOP6.
Elementy optoelektroniczne
Najmniejsza na rynku dioda near-infrared LED do pomiarów spektroskopowych
Już od wielu lat firma Osram specjalizuje się w opracowywaniu miniaturowych, szerokopasmowych emiterów podczerwieni do spektroskopii, przeznaczonych do zastosowań w systemach analizy struktury molekularnej. Najnowsza dioda NIRED (near-infrared LED) z oferty firmy, Oslon P1616 SFH4737, oferuje równocześnie trzy kluczowe zalety w tego typu zastosowaniach: dużą sprawność energetyczną, szeroki zakres długości fali i małe gabaryty, pozwalając realizować urządzenia przenośne z funkcją pomiarów spektroskopowych.
Podzespoły półprzewodnikowe
Samochodowy czujnik odległości 3D time-of-flight o rozdzielczości QVGA
Firma Melexis powiększa ofertę czujników time-of-flight o nowy model 3D o oznaczeniu MLX75026, pracujący z rozdzielczością QVGA (320 x 240 pikseli). Jest on dwukrotnie mniejszym odpowiednikiem wprowadzonej wcześniej na rynek wersji MLX75027 o rozdzielczości VGA. Uzyskał kwalifikację AEC-Q100, dzięki czemu może być stosowany w motoryzacji, np. w systemach monitorowania kierowcy i kabiny, antykolizyjnych, autonomicznego parkowania i rozpoznawania gestów. W porównaniu z MLX75027 zapewnia większą sprawność kwantową, większą dokładność pomiaru odległości i charakteryzuje się trzykrotnie mniejszym poborem mocy.
Elementy optoelektroniczne
Niskoprofilowe fotodiody PIN o dużym stosunku sygnału do szumu do zastosowań w motoryzacji
Vishay Semiconductor wprowadza do oferty dwie niskoprofilowe fotodiody PIN o dużym stosunku sygnału do szumu, zaprojektowane do zastosowań w motoryzacji. VEMD4010X01 i VEMD4110X01 to fotodiody z kwalifikacją AEC-Q101, mogące pracować w szerokim zakresie temperatury otoczenia od -40 do +110°C. Są zamykane w czarnych obudowach SMD formatu 0805 o grubości wynoszącej 0,7 mm, mniej o 0,15 mm od diod wcześniejszej generacji. Dzięki wyeliminowaniu efektu oświetlenia bocznego zwiększono ich stosunek sygnału do szumu.
Elementy optoelektroniczne
Fotoprzekaźniki o wymiarach 2,0 x 1,45 x 1,3 mm na zakres temperatury pracy do +125°C
Trzy nowe fotoprzekaźniki 1-Form-A firmy Toshiba Electronics Europe, TLP3407SRA, TLP3475SRHA i TLP3412SRHA, są najmniejszymi tego typu komponentami dostępnymi obecnie na rynku, produkowanymi w obudowach S-VSON4T o powierzchni zaledwie 2,0 x 1,45 mm i grubości 1,3 mm. Są one przystosowane do pracy w szerszym zakresie temperatury otoczenia od wcześniejszych wersji, wynoszącym od -40 do +125°C. Ze względu na małe gabaryty, nadają się do zastosowań zwłaszcza w urządzeniach wymagających zastosowania całych matryc sprzęgaczy, np. w testerach półprzewodników.
Elementy optoelektroniczne
Ultrapanoramiczne wyświetlacze 3,9" od Winstara
W ofercie Unisystemu dostępnych jest kilka modeli ultrapanoramicznych wyświetlaczy (bar type displays) firmy Winstar o małych przekątnych: 3,9-, 4,6- oraz 5,2-calowe. W każdej z tych grup dostępnych jest kilka modeli różniących się kątami obserwacji i jasnością. Przykładowe jednostki 3,9-calowe to wyświetlacze WF39CTIASDNN0# z kątem obserwacji na godzinę 12, WF39BTLASDNN0# na godzinę 6. Oba mają jasność wynoszącą 500 cd/m² i przeznaczone są do urządzeń instalowanych we wnętrzach budynków, pojazdach oraz w zadaszonych lokalizacjach zewnętrznych (np. na przystankach).