Zarządzane produkty NAND od ATP

Omówione w niniejszym artykule produkty NAND od ATP Electronics łączą pamięć flash NAND i kontroler sprzętowy zintegrowane w tym samym pakiecie układów scalonych. Upraszcza to projekt interfejsu aplikacji, umożliwiając wewnętrznemu kontrolerowi zarządzanie pamięcią flash i zwalnia host z konieczności wyrównywania zużycia, zarządzania uszkodzonymi blokami, korekcji błędów i innych funkcji działających w tle. Prezentowane tu rozwiązania zapewniają wysoką wydajność, zużywają mniej energii i są dostępne w bardzo małych obudowach, aby zmieściły się w systemach wbudowanych o ograniczonej przestrzeni.

‎Mniejszy od typowego e.MMC, ATP 9x10 e.MMC jest wyposażony w pakiet FBGA, 153-ball. Niewielki rozmiar sprawia, że np. linia Value E600Vc idealnie nadaje się do systemów wbudowanych z bardzo ograniczoną przestrzenią. Niskie zużycie energii będzie głównym czynnikiem w konfiguracji urządzeń typu wearables.  Zbudowane tak, by sprostać surowym wymaganiom aplikacji komercyjnych, a lutowanie daje dodatkową gwarancję zabezpieczenia przed wstrząsami i wibracjami. Komercyjna ocena temperatury oznacza, że zakresy od -25 °C do +85 °C nie będą miały niekorzystnego wpływu na urządzenie czy znajdujące się w nim dane.

ATP 9x10 e.MMC posiada zgodność z najnowszym standardem JEDEC e.MMC 5.1 (JESD84-B51).  A ponadto funkcje:

• Kolejkowania poleceń i barierę pamięci podręcznej, w celu zwiększenia losowego odczytu/zapisu
• Tryb DDR High Speed 200MHz (HS400), zapewniający przepustowość do 400 MB/s;
• Ulepszony Strobe w trybie HS400 ułatwiający szybszą synchronizację między hostem a urządzeniem e.MMC
• Field firmware update (FFU)
• Secure Write Protection

ATP 9x10 e.MMC jest wstecznie kompatybilny z poprzednimi wersjami (v4. 41/v4. 5/v5. 0). Dodatkowo wspiera m.in. takie zadania jak: powiadomienia o wyłączeniu zasilania, cache, boot czy odtwarzanie chronionych partycji blokowych pamięci (RPMB) i przerwań o wysokim priorytecie (HPI).

Pomimo swojej bardzo małej obudowy, dyski półprzewodnikowe z serii N700 NVMe Heat Sink Ball Grid Array (HSBGA) doskonale się prezentują. Z szybkim interfejsem PCIe 3.0 x4 i protokołem NVMe zapewniają przepustowość do 32 Gb/s przy 8 Gb/s na linię, przy wymiarach zaledwie 16 (dł.) x 20 (szer.) x 1,6 (wys.) mm, obudową M.2 typu 1620 i 299-Ball - zajmują minimalną przestrzeń w ciasnych systemach.

Dyski serii N700 są skonfigurowane z pSLC pamięci flash NAND. Przechowując tylko jeden bit na komórkę, zwiększają niezawodność oraz żywotność pamięci flash NAND. W ten sposób dają korzyść w postaci niższych kosztów ze względu na większą gęstość komórek (w porównaniu z natywnym SLC).

Te niewielkie wydajne urządzenia przechowują ogromne pojemności 40/80/160 GB i są wyposażone w zaawansowane funkcje. Spełniają zatem ultra wysokie wymagania dotyczące przenośności i niezawodności kompaktowych urządzeń Internetu rzeczy (IoT) czy systemów wbudowanych. Zapewniają szybką niezawodną pamięć masową w trudnych warunkach przemysłowych, jak: transport, lotnictwo, inteligentne fabryki, operacje wydobywcze, produkcja stali i itp.

• Tryb pSLC. Skonfigurowany do przechowywania tylko jednego bitu na komórkę, aby zwiększyć wytrzymałość i niezawodność, oferując zrównoważoną wydajność 2X-3X.
• Stabilna wydajność. Oprogramowanie z Thermal Throttling utrzymuje stabilny stan, pozwalający uniknąć spadków wydajności, negatywnie wpływających na system i optymalizując w ten sposób najlepszą wydajność dla żądań aplikacji i poprawiając ogólną wydajność.
• Zoptymalizowane zużycie energii. Zużywając niewielką moc na poziomie zaledwie 5mW w stanie zasilania 4 (tryb uśpienia), dyski SSD ATP NVMe HSBGA zapewniają ogromne oszczędności energii.
• Obsługa pamięci DRAM-Less Configuration. Host Memory Buffer (HMB) pomaga dyskom SSD bez DRAM poprawić wydajność, uzyskując zasoby DRAM jako pamięć podręczną. Przezwyciężają w ten sposób ograniczoną pojemność pamięci masowej i optymalizują wydajność I/O.
• Pamięć masowa odporna na wibracje. Dyski SSD serii ATP N700 są także lutowane, dzięki czemu zapewniają odporność na wstrząsy i wibracje.