Ok APA - Automatyka Podzespoły Aplikacje Zamów nowe wydanie
Arrow left icon Powrót

Artykuły Produkty
Podzespoły pasywne
Kondensatory tantalowe o dużym współczynniku CV i dużej odporności mechanicznej
W ofercie TTI pojawiła się seria kondensatorów tantalowych TWA z mokrym elektrolitem, charakteryzujących ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Przełączniki sygnałów analogowych o rezystancji wewnętrznej <0,6Ω
Nowe przełączniki sygnałów analogowych DG2735A, DG2725 i DG2599 firmy Vishay wyróżniają się małą ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Miniaturowy układ ładowania superkondensatorów z automatycznym równoważeniem ogniw
LTC3226 to miniaturowy układ ładowania dwóch superkondensatorów połączonych szeregowo, współpracujący ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Sterownik silników 3-fazowych silników o dużej skali integracji
DRV8301 to sterownik 3-fazowych silników bezszczotkowych i silników synchronicznych z magnesem trwałym, ...
Podzespoły elektromechaniczne
Miniaturowe złącza SMD płytka-płytka o rozstawie wyprowadzeń 0,5mm
Miniaturowe złącza płytka-płytka serii MezzoStak są przeznaczone do zastosowań w urządzeniach ...
Systemy pomiarowe
Sprzęgło dwudyskowe zaciskowe SBZ25-6-10
Do wyrównywania nieosiowości montażowych przy podłączaniu przetworników optoelektronicznych do ...
Podzespoły pasywne
Ultraprecyzyjne rezystory o dopuszczalnej temperaturze pracy +225°C
Ultraprecyzyjne rezystory serii FRSH zostały opracowane do zastosowań w elektronice wojskowej i samochodowej ...
Elementy optoelektroniczne
Zintegrowane tunery AM/FM/SW ze strojeniem analogowym i cyfrowym wyświetlaczem
Si4840/44 to zintegrowane tunery AM/FM/SW przeznaczone do zastosowań w odbiornikach strojonych analogowo ...
Podzespoły elektromechaniczne
Złącza o rozstawie wyprowadzeń 1,0mm kompatybilne z urządzeniami pick-and-place
Firma Harwin wprowadziła do oferty serię niskoprofilowych złączy M40 przeznaczonych do łączenia ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Szerokopasmowe mikrofalowe tranzystory dużej mocy na pasmo 700…2200 MHz
Szerokopasmowe tranzystory nowej serii RFG1M, produkowane w procesie technologicznym GaN HEMT, opracowano ...