Szerokopasmowe mikrofalowe tranzystory dużej mocy na pasmo 700…2200 MHz

Szerokopasmowe tranzystory nowej serii RFG1M, produkowane w procesie technologicznym GaN HEMT, opracowano do zastosowań w komercyjnych i militarnych wzmacniaczach mocy na pasmo od 700 do 2200 MHz. 

Nadają się one do systemów z modulacją impulsową, ze stałą obwiednią, WCDMA i LTE. Mogą pracować przy dużym stosunku mocy szczytowej do średniej.

Są zamykane w ceramicznych obudowach RF400-2 o doskonałej stabilności termicznej i dopuszczalnym zakresie temperatur otoczenia od -25°C do +85°C. Moc znamionowa przekracza 90W dla RFG1M20090, 120W dla RFG1M09090, 180W dla RFG1M20180 i 240W dla RFG1M09180.