wersja mobilna
Online: 632 Sobota, 2016.12.10

Biznes

Intel będzie wytwarzać pamięci NAND 3D w Chinach

wtorek, 01 grudnia 2015 07:53

Intel planuje wydać 5,5 mld dolarów na wyposażenie swojej fabryki w Chinach w narzędzia i sprzęt do produkcji układów flash NAND 3D przeznaczonych do dysków półprzewodnikowych firmy. Według planów firmy produkcja NAND 3D rozpocznie się w fabryce w północno-wschodnim mieście Dalian w II połowie przyszłego roku. Stworzenie przemysłu produkcji półprzewodników pamięci jest oczkiem w głowie rządu chińskiego już od dłuższego czasu. W połowie br. państwowa firma inwestycyjna Tsinghua oferowała 23 miliardy dolarów za Microna, jednak do przejęcia nie doszło z przyczyn politycznych.

Obecnie Intel odmówił komentarza czy dostał od rządu jakieś zachęty finansowe do inwestycji, niemniej jego przedstawiciele stwierdzili, że współpraca z władzami okręgu Dalian układa się znakomicie. Według Gartnera będąc w posiadaniu zaplecza produkcji pamięci nieulotnych Intel realizuje strategię rozwoju biznesu dysków SSD i eliminuje wąskie gardło dostaw urządzeń dla centrów danych.

 

World News 24h

piątek, 09 grudnia 2016 16:12

Nantero has raised $21 million in funding for its carbon nanotube memory devices, which are an alternative to mainstream semiconductor chips. The Woburn, Mass.-based company makes nonvolatile random access memory (NRAM), which can be used in a variety of products, such as smartphones, tablets, enterprise systems, and notebook and desktop computers, as well as applications in the automotive and industrial markets.

więcej na: venturebeat.com

Produkty