wersja mobilna
Online: 565 Czwartek, 2017.05.25

Biznes

Intel będzie wytwarzać pamięci NAND 3D w Chinach

wtorek, 01 grudnia 2015 07:53

Intel planuje wydać 5,5 mld dolarów na wyposażenie swojej fabryki w Chinach w narzędzia i sprzęt do produkcji układów flash NAND 3D przeznaczonych do dysków półprzewodnikowych firmy. Według planów firmy produkcja NAND 3D rozpocznie się w fabryce w północno-wschodnim mieście Dalian w II połowie przyszłego roku. Stworzenie przemysłu produkcji półprzewodników pamięci jest oczkiem w głowie rządu chińskiego już od dłuższego czasu. W połowie br. państwowa firma inwestycyjna Tsinghua oferowała 23 miliardy dolarów za Microna, jednak do przejęcia nie doszło z przyczyn politycznych.

Obecnie Intel odmówił komentarza czy dostał od rządu jakieś zachęty finansowe do inwestycji, niemniej jego przedstawiciele stwierdzili, że współpraca z władzami okręgu Dalian układa się znakomicie. Według Gartnera będąc w posiadaniu zaplecza produkcji pamięci nieulotnych Intel realizuje strategię rozwoju biznesu dysków SSD i eliminuje wąskie gardło dostaw urządzeń dla centrów danych.

 

 

Szukaj w serwisie Semicon

World News 24h

środa, 24 maja 2017 20:02

Samsung Electronics is preparing to supply new portable solid state drive T5 running on the company’s fourth-generation 64-layer V NAND flash memory chip early next week, according to sources. The portable SSD is a compact storage device suitable for individual users. Samsung introduced a 2-terabyte portable SSD T3 based on its 48-layer V NAND last year. The size of T3 is about two thirds of a business card. It weighs about 50 grams. The device can store up to 400 full-HD movies. According to electronics parts makers, the upcoming SSD T5 is expected to be smaller and lighter than its predecessor.

więcej na: www.koreaherald.com