wersja mobilna
Online: 981 Piątek, 2017.08.18

Biznes

Intel będzie wytwarzać pamięci NAND 3D w Chinach

wtorek, 01 grudnia 2015 07:53

Intel planuje wydać 5,5 mld dolarów na wyposażenie swojej fabryki w Chinach w narzędzia i sprzęt do produkcji układów flash NAND 3D przeznaczonych do dysków półprzewodnikowych firmy. Według planów firmy produkcja NAND 3D rozpocznie się w fabryce w północno-wschodnim mieście Dalian w II połowie przyszłego roku. Stworzenie przemysłu produkcji półprzewodników pamięci jest oczkiem w głowie rządu chińskiego już od dłuższego czasu. W połowie br. państwowa firma inwestycyjna Tsinghua oferowała 23 miliardy dolarów za Microna, jednak do przejęcia nie doszło z przyczyn politycznych.

Obecnie Intel odmówił komentarza czy dostał od rządu jakieś zachęty finansowe do inwestycji, niemniej jego przedstawiciele stwierdzili, że współpraca z władzami okręgu Dalian układa się znakomicie. Według Gartnera będąc w posiadaniu zaplecza produkcji pamięci nieulotnych Intel realizuje strategię rozwoju biznesu dysków SSD i eliminuje wąskie gardło dostaw urządzeń dla centrów danych.

 

World News 24h

piątek, 18 sierpnia 2017 14:00

The global DRAM revenue reached a new historical high in the second quarter of 2017, reports DRAMeXchange, a division of TrendForce. Nevertheless, the global ASPs of PC and server DRAM products rose by more than 10% sequentially in the second quarter, while the global ASP of mobile DRAM products showed a less than 5% gain. The smaller price increase for mobile DRAM was due to Chinese smartphone brands lowering than annual shipment targets. “The DRAM market benefitted from the upswing in ASPs and continuing progress in suppliers’ technology migrations,” said Avril Wu.

więcej na: en.ctimes.com.tw

Produkty