Infineon, IBM, Chartered, Samsung, Freescale współpracują

Coraz większe koszty związane z wdrożeniem nowych procesów technologicznych w fabrykach półprzewodników powodują, że producenci podzespołów półprzewodnikowych coraz częściej łączą się w grupy i wspólnie zajmują rozwojem technologii. Takie porozumienie o współpracy podpisały ostatnio Infineon, IBM, Chartered, Samsung, Freescale, które zamierzają rozwijać proces CMOS, od 90nm przez kolejne generacje 65nm i 45nm, aż do wymiaru 32nm. Współpraca firm będzie trwała co najmniej do 2010 roku, a celem jest opracowanie bazy produkcyjnej do produkcji energooszczędnych podzespołów o dużej wydajności do zastosowań mobilnych.