SanDisk w technologii 43nm

26 marca 2008

Firma SanDisk, producent pamięci Flash wdrożył w swoich zakładach technologię produkcji wielopoziomowych układów NAND Flash, której wymiar charakterystyczny wynosi 43nm. Osiągnięcie to udało się zrealizować dzięki współpracy z japońskim koncernem Toshiba. Wprowadzone zmiany umożliwią dwukrotne zwiększenie gęstości ułożenia komórek pamięci w porównaniu do dotąd stosowanej technologii o wymiarze charakterystycznym 56nm. Ponadto spowoduje to kolejny duży spadek cen pamięci tego typu na rynku. Nowe produkty mają pojawić się na rynku w drugim kwartale 2008 roku. Początkowo oferowane będą moduły o pojemności 16Gb, ale niedługo później 32Gb. W najnowszych układach zastosowano także opracowaną przez SanDisk architekturę All Bit Line, która zwiększa efektywność zapisu i odczytu danych.

Udostępnij

Posłuchaj

00:00

Projektowanie układów chłodzenia w elektronice - metody obliczeniowe i symulacyjne

Rosnące straty mocy w nowoczesnych układach elektronicznych sprawiają, że zarządzanie temperaturą przestaje być jedynie zagadnieniem pomocniczym, a staje się jednym z kluczowych elementów procesu projektowego. Od poprawnego odprowadzania ciepła zależy nie tylko spełnienie dopuszczalnych warunków pracy komponentów, lecz także długoterminowa niezawodność urządzenia, jego trwałość oraz zgodność z obowiązującymi normami. W niniejszym artykule przedstawiono uporządkowane podejście do projektowania układów chłodzenia, obejmujące metody obliczania strat mocy, analizę termiczną oraz wykorzystanie narzędzi symulacyjnych, w tym modeli cieplnych implementowanych w środowiskach symulacji elektrycznych.