Firma SanDisk, producent pamięci Flash wdrożył w swoich zakładach technologię produkcji wielopoziomowych układów NAND Flash, której wymiar charakterystyczny wynosi 43nm. Osiągnięcie to udało się zrealizować dzięki współpracy z japońskim koncernem Toshiba. Wprowadzone zmiany umożliwią dwukrotne zwiększenie gęstości ułożenia komórek pamięci w porównaniu do dotąd stosowanej technologii o wymiarze charakterystycznym 56nm. Ponadto spowoduje to kolejny duży spadek cen pamięci tego typu na rynku. Nowe produkty mają pojawić się na rynku w drugim kwartale 2008 roku. Początkowo oferowane będą moduły o pojemności 16Gb, ale niedługo później 32Gb. W najnowszych układach zastosowano także opracowaną przez SanDisk architekturę All Bit Line, która zwiększa efektywność zapisu i odczytu danych.
» Obroty SanDiska wzrosną, Microna zmaleją
Globalfoundries has denied recent rumors indicating the company is looking for a strategic partner or buyer to transfer the ownership of its 12-inch wafer plant in Chengdu, China. Rumors circulated recently have claimed that Globalfoundries has approached companies including Yangtze Memory Technology (YMTC), United Microelectronics (UMC) and Samsung Electronics about forming a strategic partnership to jointly own the Chengdu fab, or possibly disposing of its holdings in the plant.
więcej na: digitimes.com
