SanDisk w technologii 43nm

Firma SanDisk, producent pamięci Flash wdrożył w swoich zakładach technologię produkcji wielopoziomowych układów NAND Flash, której wymiar charakterystyczny wynosi 43nm. Osiągnięcie to udało się zrealizować dzięki współpracy z japońskim koncernem Toshiba. Wprowadzone zmiany umożliwią dwukrotne zwiększenie gęstości ułożenia komórek pamięci w porównaniu do dotąd stosowanej technologii o wymiarze charakterystycznym 56nm. Ponadto spowoduje to kolejny duży spadek cen pamięci tego typu na rynku. Nowe produkty mają pojawić się na rynku w drugim kwartale 2008 roku. Początkowo oferowane będą moduły o pojemności 16Gb, ale niedługo później 32Gb. W najnowszych układach zastosowano także opracowaną przez SanDisk architekturę All Bit Line, która zwiększa efektywność zapisu i odczytu danych.