Po burzliwych obradach multidyscyplinarne jury pod przewodnictwem Katarzyny Rzehak - dyrektor kreatywnej Instytutu Wzornictwa Przemysłowego - przyznało nagrody w tegorocznej, XXII edycji konkursu Dobry Wzór. Pierwszą nagrodę Dobry Wzór 2015 w Sferze Pracy otrzymała firma Renex za stół antystatyczny Reeco Premium M. Jury wskazało na doskonałe dopasowanie produktu do potrzeb specyficznego rynku organizacji miejsca pracy, gdzie wymagania ergonomiczne mają decydujące znaczenie.
Stół Reeco stanowi niezbędne wyposażenie pomieszczeń, w których odbywa się produkcja urządzeń elektronicznych i elektrotechnicznych i wszędzie tam, gdzie należy przeciwdziałać wyładowaniom elektrostatycznym. Specjalistyczny blat z rdzeniem przewodzącym ładunki elektrostatyczne pokryto laminatem HPL a konstrukcje zabezpieczono farbą antystatyczną. Blat można ustawiać na różnych wysokościach, co sprawdza się także w przypadku pracowników niepełnosprawnych czy pracujących na wózkach inwalidzkich.
Wiceminister infrastruktury i rozwoju Iwona Wendel, wręczając nagrodę powiedziała - Cieszę się, że wręczam nagrodę firmie rodzinnej, która dalszy swój rozwój uzależniła od uruchomienia produkcji własnych urządzeń - zależy nam na rozwoju rodzimego przemysłu. Będziemy wspierać firmy i ośrodki innowacji w wykorzystaniu wzornictwa. Mamy na to środki z funduszy unijnych na lata 2014-2020. Będą one dostępne przede wszystkim programach Inteligentny Rozwój, Polska Wschodnia i regionalnych. Bardzo proszę złożyć słowa uznania na ręce właścicieli firmy rodziniej Renex pani Marzeny Szczotkowskiej-Topić i pana Predraga Topić.
źródło: Renex
» Reeco finalistą konkursu Dobry Wzór 2015
» Renex dostarcza meble antystatyczne do serwisu ELZABu
imec presented considerable progress in enabling germanium nanowire pFET devices as a practical solution to extend scaling beyond the 5nm node. In a first paper, the research center unveiled an in-depth study of the electrical properties of strained germanium nanowire pFETs. A second paper presents the first demonstration of vertically-stacked gate-all-around highly-strained germanium nanowire pFETs. “With a number of scaling boosters, the industry will be able to extend FinFET technology to the 7- or even 5nm node,” says An Steegen, EVP at imec’s Semiconductor Technology and Systems division.
więcej na: www.imec-int.com
