NAND Flash na granicy 50nm

Współpracujące ze sobą firmy Intel (Santa Clara, USA) oraz Micron (Boise, USA) poinformowały, że wyprodukowały pamięci NAND Flash o pojemności 4Gb w procesie technologicznym 50nm. Układy, które od przyszłego roku mają być wytwarzane masowo również w wersjach o większych pojemnościach, wyprodukowane zostały w IM Flash Technologies LLC, będącej joint-venture firm Intel oraz Micron.
Powyższa informacja jest kolejną, po podanej w lipcu przez firmę Samsung Electronics (Seul, Korea Południowa), rewelacją dotyczącą postępów w technologii pamięci Flash. Lider rynku NAND Flash, którym jest Samsung, poinformował wtedy o rozpoczęciu produkcji masowej pamięci o pojemności 8Gbit w procesie technologicznym 60nm. Według szacunków analityków rynkowych, globalna wartość sektora NAND Flash wzrośnie w tym roku do wartości około 15 mld dolarów, natomiast w roku 2010 może ona osiągnąć poziom od 25 do 30 mld dolarów.
Posłuchaj
00:00
Powiązane treści
Wzrost obrotów na rynku NAND Flash w 2011 r.
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Projektowanie i badania
SoMLabs i Scythe Studio: partnerstwo w zakresie rozwiązań embedded
Optoelektronika
Unisystem – 30 lat ewolucji w świecie wyświetlaczy
Projektowanie i badania
Elektroniczna skóra dla robotów: tani, elastyczny i czuły materiał inspirowany ludzkim dotykiem
Mikrokontrolery i IoT
Infineon prezentuje SECORA ID V2 i eID-OS – nowe rozwiązania do nowoczesnych dokumentów tożsamości
Aktualności
Nordic Semiconductor przejmuje Neuton.AI i awansuje w dziedzinie sztucznej inteligencji brzegowej
Mikrokontrolery i IoT
Rekordowa transakcja w branży komputerów kwantowych
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Magazyn
Czerwiec 2025
Targi zagraniczne
Elmässan Stockholm 2025
Magazyn
Maj 2025
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów