NAND Flash na granicy 50nm

14 września 2006

Współpracujące ze sobą firmy Intel (Santa Clara, USA) oraz Micron (Boise, USA) poinformowały, że wyprodukowały pamięci NAND Flash o pojemności 4Gb w procesie technologicznym 50nm. Układy, które od przyszłego roku mają być wytwarzane masowo również w wersjach o większych pojemnościach, wyprodukowane zostały w IM Flash Technologies LLC, będącej joint-venture firm Intel oraz Micron.
Powyższa informacja jest kolejną, po podanej w lipcu przez firmę Samsung Electronics (Seul, Korea Południowa), rewelacją dotyczącą postępów w technologii pamięci Flash. Lider rynku NAND Flash, którym jest Samsung, poinformował wtedy o rozpoczęciu produkcji masowej pamięci o pojemności 8Gbit w procesie technologicznym 60nm. Według szacunków analityków rynkowych, globalna wartość sektora NAND Flash wzrośnie w tym roku do wartości około 15 mld dolarów, natomiast w roku 2010 może ona osiągnąć poziom od 25 do 30 mld dolarów.

Udostępnij

Posłuchaj

00:00

Koń trojański w układzie scalonym: Dlaczego europejski sektor zbrojeniowy musi uniezależnić się od chińskiej elektroniki

Współczesna geopolityka nie pozostawia złudzeń – era powszechnej globalizacji dobiegła końca, a jej miejsce zajmuje epoka strategicznej autonomii i bezpieczeństwa narodowego. W obliczu wojny za naszą wschodnią granicą oraz rosnącego napięcia na linii Waszyngton - Pekin, Europa stanęła przed koniecznością redefinicji swojego podejścia do produkcji obronnej oraz akceptacji faktu, że prawdziwe bezpieczeństwo zaczyna się nie na poligonie, ale w fabryce.