wersja mobilna
Online: 426 Czwartek, 2018.02.22

Biznes

NAND Flash na granicy 50nm

czwartek, 14 września 2006 19:02
Współpracujące ze sobą firmy Intel (Santa Clara, USA) oraz Micron (Boise, USA) poinformowały, że wyprodukowały pamięci NAND Flash o pojemności 4Gb w procesie technologicznym 50nm. Układy, które od przyszłego roku mają być wytwarzane masowo również w wersjach o większych pojemnościach, wyprodukowane zostały w IM Flash Technologies LLC, będącej joint-venture firm Intel oraz Micron.
Powyższa informacja jest kolejną, po podanej w lipcu przez firmę Samsung Electronics (Seul, Korea Południowa), rewelacją dotyczącą postępów w technologii pamięci Flash. Lider rynku NAND Flash, którym jest Samsung, poinformował wtedy o rozpoczęciu produkcji masowej pamięci o pojemności 8Gbit w procesie technologicznym 60nm. Według szacunków analityków rynkowych, globalna wartość sektora NAND Flash wzrośnie w tym roku do wartości około 15 mld dolarów, natomiast w roku 2010 może ona osiągnąć poziom od 25 do 30 mld dolarów.
 

World News 24h

środa, 21 lutego 2018 20:04

NI announced plans to collaborate with Samsung Electronics Co. to develop 5G test UEs for 5G New Radio. The first public demonstration of this collaboration will show Samsung’s 28 GHz base station communicating with an NI test UE at MWC 2018 in Barcelona next week. The 3GPP officially released a first draft of the 5G NR standard in December 2017. An important next step in the formation of a new 5G ecosystem calls for equipment and device manufacturers to test their implementations that conform to this standard with each other to achieve the goal of interoperability. Interoperability device testing determines whether the base station and device can establish and maintain a robust communication link capable of achieving 5G performance in prescribed test conditions.

więcej na: www.ni.com