NAND Flash na granicy 50nm

Współpracujące ze sobą firmy Intel (Santa Clara, USA) oraz Micron (Boise, USA) poinformowały, że wyprodukowały pamięci NAND Flash o pojemności 4Gb w procesie technologicznym 50nm. Układy, które od przyszłego roku mają być wytwarzane masowo również w wersjach o większych pojemnościach, wyprodukowane zostały w IM Flash Technologies LLC, będącej joint-venture firm Intel oraz Micron.
Powyższa informacja jest kolejną, po podanej w lipcu przez firmę Samsung Electronics (Seul, Korea Południowa), rewelacją dotyczącą postępów w technologii pamięci Flash. Lider rynku NAND Flash, którym jest Samsung, poinformował wtedy o rozpoczęciu produkcji masowej pamięci o pojemności 8Gbit w procesie technologicznym 60nm. Według szacunków analityków rynkowych, globalna wartość sektora NAND Flash wzrośnie w tym roku do wartości około 15 mld dolarów, natomiast w roku 2010 może ona osiągnąć poziom od 25 do 30 mld dolarów.
Posłuchaj
00:00
Powiązane treści
Wzrost obrotów na rynku NAND Flash w 2011 r.
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Aktualności
Portugalia potęgą w zakresie centrów danych?
Optoelektronika
Fotonika dla AI: iPronics i Ansys łączą siły, by zwiększyć niezawodność infrastruktury centrów danych
Komponenty
Pierwiastki ziem rzadkich - o co tyle zamieszania?
Aktualności
Globalny rynek smartfonów stoi w obliczu stagnacji
Aktualności
Weller Tools świętuje 80 lat innowacji
Produkcja elektroniki
SK hynix dołącza do Samsunga jako największy producent pamięci na świecie
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Magazyn
Lipiec 2025
Magazyn
Czerwiec 2025
Targi zagraniczne
Elmässan Stockholm 2025
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów