NAND Flash na granicy 50nm

14 września 2006

Współpracujące ze sobą firmy Intel (Santa Clara, USA) oraz Micron (Boise, USA) poinformowały, że wyprodukowały pamięci NAND Flash o pojemności 4Gb w procesie technologicznym 50nm. Układy, które od przyszłego roku mają być wytwarzane masowo również w wersjach o większych pojemnościach, wyprodukowane zostały w IM Flash Technologies LLC, będącej joint-venture firm Intel oraz Micron.
Powyższa informacja jest kolejną, po podanej w lipcu przez firmę Samsung Electronics (Seul, Korea Południowa), rewelacją dotyczącą postępów w technologii pamięci Flash. Lider rynku NAND Flash, którym jest Samsung, poinformował wtedy o rozpoczęciu produkcji masowej pamięci o pojemności 8Gbit w procesie technologicznym 60nm. Według szacunków analityków rynkowych, globalna wartość sektora NAND Flash wzrośnie w tym roku do wartości około 15 mld dolarów, natomiast w roku 2010 może ona osiągnąć poziom od 25 do 30 mld dolarów.

Dodaj do ulubionych źródeł w Google

Udostępnij

Posłuchaj

00:00

Mikrokontrolery PIC32CM PL10 - wydajność 32-bitowego rdzenia Arm Cortex-M0+ i odporność na zakłócenia w projektach 5 V

Firma Microchip Technology prezentuje nową rodzinę mikrokontrolerów (MCU) PIC32CM PL10, która wprowadza wydajność 32-bitowych rdzeni Arm® Cortex®-M0+ do systemów zasilanych napięciem 5 V. Dzięki zgodności wyprowadzeń z 8-bitowymi rodzinami układów AVR® Dx, nowa seria stanowi doskonałą propozycję dla inżynierów poszukujących łatwej ścieżki migracji z architektury 8-bitowej na 32-bitową, pozbawionej konieczności poważnego przebudowywania układów zasilania na płycie czy uczenia się od nowa obsługi układów peryferyjnych.