wersja mobilna
Online: 485 Sobota, 2018.06.23

Biznes

NAND Flash na granicy 50nm

czwartek, 14 września 2006 19:02
Współpracujące ze sobą firmy Intel (Santa Clara, USA) oraz Micron (Boise, USA) poinformowały, że wyprodukowały pamięci NAND Flash o pojemności 4Gb w procesie technologicznym 50nm. Układy, które od przyszłego roku mają być wytwarzane masowo również w wersjach o większych pojemnościach, wyprodukowane zostały w IM Flash Technologies LLC, będącej joint-venture firm Intel oraz Micron.
Powyższa informacja jest kolejną, po podanej w lipcu przez firmę Samsung Electronics (Seul, Korea Południowa), rewelacją dotyczącą postępów w technologii pamięci Flash. Lider rynku NAND Flash, którym jest Samsung, poinformował wtedy o rozpoczęciu produkcji masowej pamięci o pojemności 8Gbit w procesie technologicznym 60nm. Według szacunków analityków rynkowych, globalna wartość sektora NAND Flash wzrośnie w tym roku do wartości około 15 mld dolarów, natomiast w roku 2010 może ona osiągnąć poziom od 25 do 30 mld dolarów.
 

World News 24h

sobota, 23 czerwca 2018 11:59

China's AI sector has witnessed a new round of fundraising campaigns, with a flurry of investment deals completed over the past few weeks to make AI unicorns there stronger, according to industry sources. The latest funding deal, completed on June 20, was closed by AI chipmaker Cambricon Technologies. In its series B funding round, the company raised millions of US dollars from investors including state-backed venture capital funds such as China State-Owned Capital Venture Investment Fund, SDIC Venture Capital and China Reform Fund, as well as companies like Alibaba Group, Lenovo and Incubator Group.

więcej na: www.digitimes.com