NAND Flash na granicy 50nm

Współpracujące ze sobą firmy Intel (Santa Clara, USA) oraz Micron (Boise, USA) poinformowały, że wyprodukowały pamięci NAND Flash o pojemności 4Gb w procesie technologicznym 50nm. Układy, które od przyszłego roku mają być wytwarzane masowo również w wersjach o większych pojemnościach, wyprodukowane zostały w IM Flash Technologies LLC, będącej joint-venture firm Intel oraz Micron.
Powyższa informacja jest kolejną, po podanej w lipcu przez firmę Samsung Electronics (Seul, Korea Południowa), rewelacją dotyczącą postępów w technologii pamięci Flash. Lider rynku NAND Flash, którym jest Samsung, poinformował wtedy o rozpoczęciu produkcji masowej pamięci o pojemności 8Gbit w procesie technologicznym 60nm. Według szacunków analityków rynkowych, globalna wartość sektora NAND Flash wzrośnie w tym roku do wartości około 15 mld dolarów, natomiast w roku 2010 może ona osiągnąć poziom od 25 do 30 mld dolarów.
Posłuchaj
00:00
Powiązane treści
Wzrost obrotów na rynku NAND Flash w 2011 r.
Zobacz więcej w kategorii: Gospodarka
Zasilanie
Microchip rozszerza ofertę rozwiązań kosmicznych o przetwornicę DC/DC SA15-28 i filtr EMI SF100-28
Komponenty
Farnell poszerza ofertę produktów o znaczeniu krytycznym
Projektowanie i badania
USA ograniczają sprzedaż oprogramowania EDA do Chin
Produkcja elektroniki
Wirebonding NIE odchodzi do lamusa
Mikrokontrolery i IoT
Nowa platforma Payara Qube upraszcza wdrażanie aplikacji Java w chmurze
Komponenty
Nordic Semiconductor przejmuje firmę Memfault i wprowadza na rynek pierwszą kompletną platformę typu chip-chmura
Zobacz więcej z tagiem: Artykuły
Magazyn
Czerwiec 2025
Targi zagraniczne
Elmässan Stockholm 2025
Magazyn
Maj 2025
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów