wersja mobilna
Online: 1129 Poniedziałek, 2017.11.20

Biznes

NAND Flash na granicy 50nm

czwartek, 14 września 2006 19:02
Współpracujące ze sobą firmy Intel (Santa Clara, USA) oraz Micron (Boise, USA) poinformowały, że wyprodukowały pamięci NAND Flash o pojemności 4Gb w procesie technologicznym 50nm. Układy, które od przyszłego roku mają być wytwarzane masowo również w wersjach o większych pojemnościach, wyprodukowane zostały w IM Flash Technologies LLC, będącej joint-venture firm Intel oraz Micron.
Powyższa informacja jest kolejną, po podanej w lipcu przez firmę Samsung Electronics (Seul, Korea Południowa), rewelacją dotyczącą postępów w technologii pamięci Flash. Lider rynku NAND Flash, którym jest Samsung, poinformował wtedy o rozpoczęciu produkcji masowej pamięci o pojemności 8Gbit w procesie technologicznym 60nm. Według szacunków analityków rynkowych, globalna wartość sektora NAND Flash wzrośnie w tym roku do wartości około 15 mld dolarów, natomiast w roku 2010 może ona osiągnąć poziom od 25 do 30 mld dolarów.
 

World News 24h

poniedziałek, 20 listopada 2017 18:02

Samsung Electronics promoted 221 executives on November 16. The number is the largest since 2014, when 227 were promoted. The large-scale reshuffle implies a change of generation. Earlier, Samsung Electronics replaced many of its older presidents with those in their 50s. The 221 executives including seven females are divided into 27 vice presidents, 60 senior managing directors, 118 managing directors, one fellow, and 15 masters. No less than 99 got a promotion in the Device Solutions Division alone. The division recently posted an all-time high profit. This year, Samsung Electronics boosted the number of new vice presidents so that its pool of CEO candidates can be expanded.

więcej na: www.businesskorea.co.kr