Podzespoły półprzewodnikowe
Układ kondycjonowania sygnału z wyjściem analogowym, PWM i SENT do mostkowych czujników ciśnienia
A17700 to najnowszy układ kondycjonowania sygnału firmy Allegro Microsystems, zaprojektowanymi do współpracy z piezorezystancyjnymi mostkowymi czujnikami ciśnienia. Może znaleźć zastosowanie w aplikacjach motoryzacyjnych i przemysłowych. Uzyskał kwalifikację AEC-Q100 Grade 0 oraz zapewnia kompatybilność z wymogami norm branżowych EMC przy minimalnej liczbie elementów współpracujących. Może się komunikować z systemem pomiarowym za pośrednictwem trzech typów wyjść: analogowego, PWM i SENT.
Podzespoły półprzewodnikowe
Tranzystory MOSFET o małej rezystancji kanału i małym ładunku Qrr
Nexperia wprowadza na rynek pierwsze tranzystory wyprodukowane na nowej linii technologicznej w Manchesterze, obsługującej 8-calowe płytki krzemowe. PSMN3R9-100YSF i PSMN3R5-80YSF to tranzystory o małej rezystancji RDS(on) i małym ładunku przejściowym przy wyłączaniu (Qrr), charakteryzujące się napięciem przebicia odpowiednio 100 V i 80 V.
Podzespoły pasywne
Ultraszerokopasmowe kondensatory SMD na zakres częstotliwości pracy 16 kHz...70 GHz
Firma AVX wprowadza na rynek ultraszerokopasmowe kondensatory do aplikacji mikrofalowych i pracujących w zakresie fal milimetrowych, zaprojektowane do pracy w zakresie częstotliwości od 16 kHz do ponad 70 GHz. Serie UBC 550Z, 550U i 550L obejmują wielowarstwowe kondensatory ceramiczne w obudowach SMD, charakteryzujące się bardzo małymi stratami wtrąconymi i bardzo dobrą powtarzalnością parametrów pomiędzy różnymi egzemplarzami. Mogą znaleźć zastosowanie w optoelektronice, szybkich sieciach komunikacyjnych, szerokopasmowych urządzeniach pomiarowych itp.
Podzespoły pasywne
Kondensatory krzemowe o dużym współczynniku pojemności do powierzchni
Murata powiększa ofertę produktów na rynek urządzeń mobilnych i HPC (high-performance computing) o rodzinę kondensatorów krzemowych wyróżniających się dużym współczynnikiem pojemności do powierzchni, wynoszącym do 1,3 µF/mm². Dodatkowo, zapewniają one niezwykle małą indukcyjność ESL na poziomie kilku pH i bardzo małą rezystancję ESR na poziomie kilku mΩ. Nadają się idealnie do zastosowań w sieciach dystrybucji zasilania na płytkach drukowanych (PDN), wymagających zapewnienia małej impedancji w szerokim zakresie częstotliwości.
Podzespoły półprzewodnikowe
Jednokanałowe sterowniki bramek tranzystorów MOSFET z barierą izolacyjną 3 kV rms
Infineon powiększa ofertę sterowników tranzystorów MOSFET o nową rodzinę sterowników jednokanałowych EiceDRIVER 1EDB z wbudowaną barierą izolacyjną 3 kV rms między wejściem i wyjściem. Są one zamykane w 8-wyprowadzeniowych obudowach DSO. Zapewniają odporność na wejściowe przepięcia sumacyjne o szybkości narastania do 300 V/ns.
Podzespoły półprzewodnikowe
Seria konwerterów AC-DC zrealizowanych na bazie 1700-woltowych tranzystorów SiC MOSFET
Do oferty firmy Rohm wchodzi seria pierwszych na rynku konwerterów AC-DC z wbudowanym 1700-woltowym tranzystorem MOSFET, zrealizowanym w technologii SiC, pozwalającej zwiększyć niezawodność i ograniczyć straty mocy przy równoczesnym ograniczeniu powierzchni montażowej.
Podzespoły pasywne
Oscylatory CMOS o małych szumach fazowych
Firma IQD powiększa ofertę oscylatorów SMD o małych szumach fazowych o dwa nowe modele IQXO-408 i IQXO-455, zamykane w standardowych przemysłowych obudowach o powierzchni 2,5 x 2,0 mm i 3,2 x 2,5 mm. Są to oscylatory z wyjściem CMOS, charakteryzujące się małym błędem jitteru (40 fs rms w zakresie 12 kHz...5 MHz) i małymi szumami fazowymi. W przypadku modelu IQXO-408 wynoszą one -113 dBc/Hz @ 10 Hz i -175 dBc/Hz @ 100 kHz dla wersji 20 MHz pracującej z napięciem zasilania 3,3 V.
Komponenty automatyki
Przełączniki mikrofalowe dużej mocy na pasmo do 18 GHz z diodami GaN PIN
Fairview Microwave wprowadza na rynek nową serię przełączników mikrofalowych dużej mocy, zrealizowanych na diodach PIN produkowanych w podłożach GaN. Wyróżniają się one dużym współczynnikiem mocy do objętości, bardzo dobrymi właściwościami termicznymi, dużym napięciem przebicia i krótkimi czasami przełączania od 50 ns. Zostały zaprojektowane do zastosowań w.in. w aplikacjach wojskowych i lotniczych, komunikacji satelitarnej i aparaturze pomiarowej. Są produkowane w obudowach o bardzo dobrych właściwościach termicznych z portami współosiowymi typu N i SMA. Jako komponenty do zastosowań wojskowych i lotniczych, są niewrażliwe na udary i wibracje mechaniczne, wilgoć i niskie ciśnienie.
Podzespoły półprzewodnikowe
Wzmacniacze mikrofalowe GaN na pasmo 1...23 GHz o współczynniku szumów 1,5 dB
Fairview Microwave wprowadza na rynek serię trzech wzmacniaczy mikrofalowych FMAM107x zrealizowanych w technologii GaN, mogących znaleźć zastosowanie w radarach, systemach komunikacji satelitarnej i wojny elektronicznej oraz w laboratoriach badawczo-rozwojowych. Wyróżniają się one bardzo małym współczynnikiem szumów, już od 1,5 dB i wzmocnieniem do 46 dB.