Komponenty / Produkty

Cienkowarstwowe, precyzyjne rezystory chipowe serii MC AT firmy Vishay Beyschlag są obecnie produkowane w mniejszych obudowach na rozszerzony zakres rezystancji. Oferta obejmuje wersje zamykane w obudowach rozmiaru 0402, 0603 i 0805 (MCS 0402 AT, MCT 0603 AT, MCU 0805 AT), których zakres rezystancji wynosi od 47 Ω do odpowiednio 1, 2 i 7,5 MΩ. Typowe zastosowania rezystorów serii MC AT obejmują aplikacje z sektora motoryzacyjnego, przemysłowego, medycznego, wymagające komponentów o stabilnych parametrach pracy w ciężkich warunkach środowiskowych. Ich zakres dopuszczalnej temperatury pracy rozciąga się od -55 do +155°C.

AOK040A60 i AOK042A60FD to nowe 600-woltowe tranzystory superzłączowe αMOS5 firmy Alpha and Omega Semiconductor, wyposażone w szybką diodę regeneracyjną. Zostały zaprojektowane do zastosowań w systemach zasilania serwerów i centrów danych, ładowarkach pojazdów oraz w instalacjach fotowoltaicznych. Mogą przewodzić prądy ciągłe o natężeniu do 70 A i impulsowe do 250 A. Charakteryzują się ładunkiem bramki wynoszącym typowo 175 nC.

Do rodziny ergonomicznych obudów EVOTEC firmy OKW wchodzi nowy wariant rozmiaru 125 z płaską powierzchnią górną. Jest to obudowa nadająca się do zastosowań w aplikacjach IT, medycznych, laboratoryjnych i pomiarowych. Podobnie, jak wcześniejsze wersje wyróżnia się ergonomicznymi, zaokrąglonymi narożnikami. Jest produkowana z ogniotrwałego tworzywa (ASA+PC-FR) odpornego na promieniowanie UV. Może być wyposażona w uszczelkę zapewniającą stopień ochrony IP65.

Firma TDK rozpoczyna masową produkcję koralików ferrytowych SMD serii MMZ1608-HE o dużej niezawodności, odpornych na temperaturę lutowania do +150°C. Zostały one zaprojektowane specjalnie do zastosowań w aplikacjach samochodowych, w tym w sterownikach ECU, układach ABS, układach wspomagania kierownicy i reflektorach LED.

A17700 to najnowszy układ kondycjonowania sygnału firmy Allegro Microsystems, zaprojektowanymi do współpracy z piezorezystancyjnymi mostkowymi czujnikami ciśnienia. Może znaleźć zastosowanie w aplikacjach motoryzacyjnych i przemysłowych. Uzyskał kwalifikację AEC-Q100 Grade 0 oraz zapewnia kompatybilność z wymogami norm branżowych EMC przy minimalnej liczbie elementów współpracujących. Może się komunikować z systemem pomiarowym za pośrednictwem trzech typów wyjść: analogowego, PWM i SENT.

Nexperia wprowadza na rynek pierwsze tranzystory wyprodukowane na nowej linii technologicznej w Manchesterze, obsługującej 8-calowe płytki krzemowe. PSMN3R9-100YSF i PSMN3R5-80YSF to tranzystory o małej rezystancji RDS(on) i małym ładunku przejściowym przy wyłączaniu (Qrr), charakteryzujące się napięciem przebicia odpowiednio 100 V i 80 V.

Firma AVX wprowadza na rynek ultraszerokopasmowe kondensatory do aplikacji mikrofalowych i pracujących w zakresie fal milimetrowych, zaprojektowane do pracy w zakresie częstotliwości od 16 kHz do ponad 70 GHz. Serie UBC 550Z, 550U i 550L obejmują wielowarstwowe kondensatory ceramiczne w obudowach SMD, charakteryzujące się bardzo małymi stratami wtrąconymi i bardzo dobrą powtarzalnością parametrów pomiędzy różnymi egzemplarzami. Mogą znaleźć zastosowanie w optoelektronice, szybkich sieciach komunikacyjnych, szerokopasmowych urządzeniach pomiarowych itp.

Murata powiększa ofertę produktów na rynek urządzeń mobilnych i HPC (high-performance computing) o rodzinę kondensatorów krzemowych wyróżniających się dużym współczynnikiem pojemności do powierzchni, wynoszącym do 1,3 µF/mm². Dodatkowo, zapewniają one niezwykle małą indukcyjność ESL na poziomie kilku pH i bardzo małą rezystancję ESR na poziomie kilku mΩ. Nadają się idealnie do zastosowań w sieciach dystrybucji zasilania na płytkach drukowanych (PDN), wymagających zapewnienia małej impedancji w szerokim zakresie częstotliwości.

Infineon powiększa ofertę sterowników tranzystorów MOSFET o nową rodzinę sterowników jednokanałowych EiceDRIVER 1EDB z wbudowaną barierą izolacyjną 3 kV rms między wejściem i wyjściem. Są one zamykane w 8-wyprowadzeniowych obudowach DSO. Zapewniają odporność na wejściowe przepięcia sumacyjne o szybkości narastania do 300 V/ns.