Produkcja elektronikiPCBKomponentyZasilanieElektromechanikaKomunikacja Mikrokontrolery i IoTOptoelektronikaPomiaryProjektowanie i badania
RynekFirmyProduktyGospodarkaRaportyWywiadyTechnikaOpiniePuls branżyKalendariumMagazynDla firm

Komponenty / Produkty

Wzmacniacze mikrofalowe GaN na pasmo 1...23 GHz o współczynniku szumów 1,5 dB
Podzespoły półprzewodnikowe

Wzmacniacze mikrofalowe GaN na pasmo 1...23 GHz o współczynniku szumów 1,5 dB

250-woltowy tranzystor MOSFET o zwiększonej odporności na promieniowanie kosmiczne
Podzespoły półprzewodnikowe
250-woltowy tranzystor MOSFET o zwiększonej odporności na promieniowanie kosmiczne
Do oferty firmy Microchip wchodzi krzemowy tranzystor MOSFET o symbolu M6 MRH25N12U3, zaprojektowany do pracy w przestrzeni kosmicznej. Jest to tranzystor o napięciu przebicia 250 V i rezystancji RDS(on) poniżej 0,21 Ω, przeznaczony do zastosowań jako główny element przełączający w konwerterach DC-DC i układach napędowych, spełniający wszystkie wymogi normy MIL-PRF19500/746.
Dioda krzemowa 600 V/12 A o małym ładunku przejściowym Qrr z kwalifikacją AEC-Q101
Podzespoły półprzewodnikowe
Dioda krzemowa 600 V/12 A o małym ładunku przejściowym Qrr z kwalifikacją AEC-Q101
Firma Power Integrations wprowadza na rynek nową diodę krzemową z kwalifikacją AEC-Q101, wyróżniającą się bardzo małym ładunkiem przejściowym przy wyłączaniu (Qrr). QH12TZ600Q to dioda o parametrach znamionowych 600 V/12 A, zaprojektowana do zastosowań w ładowarkach samochodowych. Może zastąpić znacznie droższe diody SiC, stosowane często w tego typu aplikacjach, zapewniając bardzo dobre parametry przy pracy impulsowej. Jej ładunek Qrr wynosi zaledwie 14 nC @ 25°C - dwukrotnie mniej niż w przypadku ultraszybkich diod krzemowych - co pozwala uzyskać dużą sprawność energetyczną m.in. w stopniach PFC ładowarek akumulatorów pracujących z dużą częstotliwością taktowania.
Wzmacniacz audio klasy D/G o bardzo małych szumach i niskim poborze mocy do głośników always-on
Podzespoły półprzewodnikowe
Wzmacniacz audio klasy D/G o bardzo małych szumach i niskim poborze mocy do głośników always-on
Firma Maxim zaprojektowała nowy wzmacniacz głośnikowy klasy D/G o najniższych szumach i najmniejszym poborze mocy spośród dostępnych obecnie na rynku odpowiedników. MAX98396 pobiera w stanie spoczynkowym zaledwie 12,7 mW mocy, co stanowi 1/5 wartości typowej dla układów konkurencyjnych. Poziom tzw. podłogi szumowej wynosi 15,5 µV rms przy napięciu zasilającym 12 V, co stanowi dwukrotnie mniejszą wartość od najbliższego odpowiednika i pozwala na odsłuch w głębokiej ciszy.
Seria cewek wysokoprądowych 1...10 µH w obudowach THT o grubości 4 mm
Podzespoły pasywne
Seria cewek wysokoprądowych 1...10 µH w obudowach THT o grubości 4 mm
Wurth Elektronik powiększa rodzinę cewek indukcyjnych WE-HCFT o nową wersję, wyróżniającą się wyjątkowo małą grubością (4 mm), wykonaną z wykorzystaniem płaskiego uzwojenia. WE-HCFT 2504 to cewka wysokoprądowa, mogąca pracować w temperaturze otoczenia od -40 do +125°C, charakteryzująca się dużą gęstością mocy. Zawiera rdzeń z ferrytu manganowo-cynkowego (MnZn). Wykazuje bardzo małe straty stało- i zmiennoprądowe, wynikające ze zoptymalizowanej konstrukcji rdzenia i uzwojenia. Może przewodzić prąd o natężeniu do 33 A.
Nowa osłona do wtyczek RJ45 Y-Con ze stykami przebijającymi
Obudowy dla urządzeń
Nowa osłona do wtyczek RJ45 Y-Con ze stykami przebijającymi
 Nowa osłona Y-Con 20-TC firmy Yamaichi zastępuje wcześniejszą wersję Y-Con 20, cieszącą się od lat dużym uznaniem na rynku. Jest to osłona w pełni metalowa o stopniu ochrony IP20, chroniąca wtyczkę przed wszelkiego rodzaju niekorzystnymi czynnikami w środowisku przemysłowym. Duża odporność mechaniczna w połączeniu ze skuteczną ochroną przed zaburzeniami EMI gwarantuje optymalną transmisję sygnału.
Transil o małej pojemności do ochrony samochodowych interfejsów CAN i CAN-FD
Podzespoły półprzewodnikowe
Transil o małej pojemności do ochrony samochodowych interfejsów CAN i CAN-FD
STMicroelectronics powiększa ofertę transili z kwalifikacją samochodową AEC-Q101. ESDCAN03-2BM3Y to transil 2-kanałowy o małej pojemności wewnętrznej, zaprojektowany do ochrony przepięciowej interfejsów CAN i CAN FD. Jest zamykany w obudowie DFN1110 o powierzchni zaledwie 1,1 x 1,0 mm, mniejszej o ponad 75% od konwencjonalnych transili w obudowach SOT23-3L i SOT323-3L.
40-woltowe tranzystory MOSFET o małej rezystancji kanału i szerokim obszarze SOA
Podzespoły półprzewodnikowe
40-woltowe tranzystory MOSFET o małej rezystancji kanału i szerokim obszarze SOA
Nexperia wprowadza do oferty dwa nowe 40-woltowe, superzłączowe tranzystory MOSFET o bardzo małej rezystancji kanału i szerokim obszarze SOA: BUK7S0R5-40H z kwalifikacją AEC-Q101, zaprojektowany do zastosowań w motoryzacji oraz PSMNR55-40SSH do aplikacji przemysłowych. Oba charakteryzują się rezystancją RDS(on) wynoszącą zaledwie 0,55 mΩ.
Wysokotemperaturowy kondensator foliowy DC-Link o długiej żywotności
Podzespoły pasywne
Wysokotemperaturowy kondensator foliowy DC-Link o długiej żywotności
Firma Kemet wprowadziła na rynek nowy wysokotemperaturowy kondensator foliowy do stałoprądowych układów pośredniczących (DC-Link), wyróżniający się długim czasem bezawaryjnej pracy. Model C4AK, zaprojektowany do układów napędowych, spawarek, falowników oraz aplikacji Green Energy, motoryzacyjnych i innych, wymagających odporności na dużą temperaturę otoczenia, charakteryzuje się żywotnością wynoszącą 1000 h @ +135°C (4000 h @ +125°C).
30-woltowy n-kanałowy MOSFET o dużej gęstości mocy i małej rezystancji kanału
Podzespoły półprzewodnikowe
30-woltowy n-kanałowy MOSFET o dużej gęstości mocy i małej rezystancji kanału
Vishay Siliconix powiększa ofertę tranzystorów MOSFET do przetwornic DC-DC o nowy model SiSS52DN wyróżniający się dużą gęstością mocy. Jest to tranzystor n-kanałowy o napięciu znamionowym 30 V. Charakteryzuje się rezystancją RDS(on) wynoszącą 0,95 mΩ @ 10 V - mniej o 5% od wcześniejszego modelu oraz współczynnikiem FOM równym 29,8 mΩ*nC, jednym z najmniejszych dla tego typu tranzystorów dostępnych obecnie na rynku i mniejszym o 29% od tranzystorów poprzedniej generacji.
Polecamy
Polecamy

Komponenty indukcyjne

Podzespoły indukcyjne determinują osiągi urządzeń z zakresu konwersji mocy, a więc dążenie do minimalizacji strat energii, ułatwiają miniaturyzację urządzeń, a także zapewniają zgodność z wymaganiami norm w zakresie EMC. Stąd rozwój elektromobilności, systemów energii odnawialnej, elektroniki użytkowej sprzyja znacząco temu segmentowi rynku. Zapotrzebowanie na komponenty o wysokiej jakości i stabilności płynie ponadto z aplikacji IT, telekomunikacji, energoelektroniki i oczywiście sektorów specjalnych: wojska, lotnictwa. Pozytywnym zauważalnym zjawiskiem w branży jest powolny, ale stały wzrost zainteresowania klientów rodzimą produkcją pomimo wyższych cen niż produktów azjatyckich. Natomiast paradoksalnie negatywnym zjawiskiem jest fakt, że jakość produktów azjatyckich jest coraz lepsza i jeśli stereotyp "chińskiej bylejakości" przestanie być popularny, to rodzima produkcja będzie miała problem z utrzymaniem się na rynku bez znaczących inwestycji w automatyzację i nowe technologie wykonania, kontroli jakości i pomiarów.
Cała branża elektroniki. Twoje pytania.
Poszukuję produktu lub usługi Chcę skontaktować się z firmą Mam pytanie ogólne
Zapytania ofertowe
Unikalny branżowy system komunikacji B2B Znajdź produkty i usługi, których potrzebujesz Katalog ponad 7000 firm i 60 tys. produktów