Ok APA - Automatyka Podzespoły Aplikacje Zamów nowe wydanie
Arrow left icon Powrót

Artykuły Produkty
Narzędzia ręczne
Wkrętaki precyzyjne PicoFinish WIHA
Precyzyjne wkrętaki do pracy z elementami elektronicznymi. Szeroki wybór rodzajów i końcówek.
Podzespoły półprzewodnikowe
Konwertery DC-DC boost o wydajności prądowej 0,75 A i napięciu wejściowym od 0,5 V
Torex powiększa ofertę konwerterów DC-DC boost o dwie nowe serie układów: XC9147 i XC9148, zapewniające ...
Moduły elektroniczne OEM
Pierwszy monolityczny 3-zakresowy odbiornik GNSS do nawigacji samochodowej
STA8135GA to pierwszy na rynku monolityczny odbiornik GNSS, oferujący możliwość równoczesnej pracy ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Precyzyjny, szerokopasmowy i energooszczędny przetwornik A/C do systemów akwizycji danych
Texas Instruments prezentuje najmniejszy na rynku 24-bitowy przetwornik A/C delta-sigma do systemów ...
Podzespoły pasywne
Precyzyjny termistor NTC do montażu w zintegrowanych modułach mocy
TDK prezentuje chipowy termistor NTC L860 (ozn. B57860L0522J500), zaprojektowany do kontroli temperatury ...
Urządzenia i wyposażenie produkcji
Bonder drutowy seria 86xx firmy F&S Bondtec
Bondery do wykonywania automatycznych połączeń elektrycznych grubym drutem lub taśmą. Maksymalna ...
Podzespoły półprzewodnikowe
65-amperowy chipset ePower o dużej gęstości mocy do układów zasilania
Firma Efficient Power Conversion (EPC) opracowała nowy dwuukładowy chipset ePower do realizacji wysokoprądowych ...
Podzespoły półprzewodnikowe
100-watowy przełącznik do portów USB Power Delivery z wbudowanymi zabezpieczeniami
DPS1135 to jednokanałowy przełącznik zasilania, zoptymalizowany do zastosowań na portach USB Power ...
Podzespoły pasywne
Wysokoprądowe, ekranowane cewki indukcyjne z kwalifikacją AEC-Q200
Do oferty firmy Bourns wchodzą dwie nowe serie wysokoprądowych cewek indukcyjnych z kwalifikacją AEC-Q200. ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Pierwsze tranzystory GaN w ofercie STMicroelectronics
STMicroelectronics wprowadza na rynek nową rodzinę półprzewodników na podłożu GaN, pozwalających ...