Ok APA - Automatyka Podzespoły Aplikacje Zamów nowe wydanie
Arrow left icon Powrót

Projektowanie i badania

Artykuły Produkty
Oprogramowanie projektowe
Kalkulator bilansu energetycznego do projektowania aplikacji energy harvest
Nexperia opracowała nowe narzędzie online do optymalizowania aplikacji energy harvest, korzystających ...
Podzespoły półprzewodnikowe
650-woltowe tranzystory IGBT do zasilaczy impulsowych i układów korekcji PFC
Tranzystory IGBT serii BID, łączące zalety bramki MOS i tranzystora bipolarnego, nadają się idealnie ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Miniaturowy czujnik ToF do monitorowania jakości powietrza i wykrywania dymu za pomocą smartfonów
Firma STMicroelectronics we współpracy z Mobile Physics, opracowała miniaturowy czujnik optyczny ToF ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Seria diod Schottky'ego o napięciu przebicia 30...100 V do elektroniki samochodowej
Nexperia rozszerza ofertę podzespołów z kwalifikacją AEC-Q101 o nową serię diod Schottky'ego, zamykanych ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Tranzystor GaN FET z wbudowanym sterownikiem bramki i czujnikiem prądu wyjściowego
LMG3622 to 650-woltowy tranzystor GaN FET o rezystancji RDS(ON) równej 120 mΩ, zamykany w obudowie ...
Podzespoły elektromechaniczne
Niskoprofilowe złącza Samtec Edge Rate o rozstawie wyprowadzeń 0,635 mm i wąskiej konstrukcji
Samtec rozszerza rodzinę złączy płytka-płytka Edge Rate o dwie nowe serie o zwiększonej gęstości ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Tanie mikrokontrolery do układów napędowych i współpracy z czujnikami przemysłowymi
NXP Semiconductors ogłasza wprowadzenie do sprzedaży dwóch nowych serii tanich mikrokontrolerów: ...
Podzespoły pasywne
Chipowy kondensator rezonansowy CLLC 22 nF/1000 V do ładowarek samochodowych
Samsung Electro-Mechanics rozpoczyna masową produkcję chipowego kondensatora rezonansowego CL32C223JIV1PNE ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Szybkie diody prostownicze 600 V w obudowach TO-263AC
MCC Semi dodaje do oferty mową serię szybkich diod prostowniczych o napięciu przebicia 600 V, zamykanych ...
Podzespoły półprzewodnikowe
Tranzystor GaN HEMT 650 V w obudowie CCPAK copper-clip o małej indukcyjności
Nexperia informuje o rozpoczęciu produkcji nowej rodziny tranzystorów GaN FET, opartych na wysokonapięciowej ...