Szybkie pamięci CMOS PSRAM 8...128 Mb o małym poborze mocy

Firma Alliance Memory poszerza ofertę o serię szybkich pamięci CMOS pseudo SRAM (PSRAM), łączących najlepsze cechy pamięci DRAM i SRAM. Charakteryzują się one równocześnie dużą pojemnością wewnętrzną, typową dla układów DRAM i interfejsem typowym dla SRAM. Odświeżanie matrycy jest realizowane przez obwody wewnętrzne i przebiega bez interwencji użytkownika.

W przypadku wersji AS1C1M16PL-70BIN, AS1C1M16P-70BIN, AS1C2M16P-70BIN, AS1C512K16PL-70BIN i AS1C512K16P-70BIN zastosowano interfejsy kompatybilne z asynchronicznymi pamięciami SRAM. Z kolei pamięci AS1C4M16PL-70BIN i AS1C8M16PL-70BIN CellularRAM zawierają multipleksowaną szynę adresów/danych zapewniającą szersze pasmo.

Nowa oferta pamięci AS1C obejmuje wersje o pojemności od 8 Mb do 128 Mb. Zapewniają one krótki czas dostępu na poziomie 70 ns. Występują w wersjach na dwa zakresy napięć zasilania (1,7...1,95 V, 2,6...3,3 V). Są zamykane w 48- i 49-wyprowadzeniowych obudowach FPBGA o wymiarach odpowiednio 7 x 6 x 1 mm i 4 x 4 x 1 mm.