Do najnowszej serii tranzystorów MOSFET od Magnachip Semiconductor należą modele: MDWS12D012PERH i MDWC12D013PERH. Podzespoły, które opisują w szczególności: napięcie VSS równe 12 V oraz rezystancja w stanie przewodzenia RDS(on) poniżej 1,2 mΩ. Wartości obu parametrów obowiązują względem napięcia "bramka-źródło" VGS=3,8 V. Rozwiązania producenta zamknięte są w obudowie WLCSP o wymiarach: 3,2×1,95 mm lub 2,98×1,49 mm.
W warunkach testowych podzespoły umożliwiają obniżenie temperatury aplikacji o blisko 10°C. Wynika stąd obniżona emisja ciepła "poprawiająca" parametry pracy aplikacji, warunkująca redukcję degradacji baterii w relatywnie długim okresie użytkowania. W efekcie tranzystory serii MDWC12D mogą być z sukcesem stosowane w urządzeniach przenośnych. W szczególności urządzeniami są smartfony korzystające z algorytmów sztucznej inteligencji (AI). Innym przeznaczeniem są systemy zarządzania bateriami (BMS) – komponenty serii umożliwiają dokładną regulację prądu ładowania, zwiększając sprawność zasilanych urządzeń oraz warunkując stabilne ich działanie mimo wymagających warunków eksploatacji.
Więcej na: www.magnachip.com
