Nieulotne pamięci SRAM 2. generacji o 20-letniej retencji danych

Infineon Technologies LLC ogłasza rozpoczęcie produkcji nieulotnych pamięci SRAM (nvSRAM) drugiej generacji, zaprojektowanych do zastosowań w lotnictwie, systemach przemysłowych i innych aplikacjach narażonych na ciężkie warunki środowiskowe. Mogą być one stosowane do przechowywania danych pomiarowych i kalibracyjnych oraz jako pamięci rozruchowe. Uzyskały kwalifikację MIL-PRF-38535 QML-Q. Występują obecnie w dwóch wariantach: STK14C88C o pojemności 256 kb i STK14CA8C o pojemności 1 Mb, zamykanych w 32-wyprowadzeniowych ceramicznych obudowach CDIP. Mogą pracować w zakresie temperatury otoczenia od -55 do +125°C. Występują w wersjach o napięciu zasilania 3 V i 5 V.

W normalnych warunkach pracy pamięć nvSRAM działa podobnie, jak konwencjonalna asynchroniczna pamięć SRAM. W przypadku awarii zasilania, dane są automatycznie zapisywane w pamięci nieulotnej, gdzie są chronione przez ponad 20 lat. Firma Infineon dostarczyła już ponad dwa miliardy nieulotnych pamięci SRAM opartych na technologii SONOS.