Wewnątrz transoptora TLP5791H znajduje się dioda elektroluminescencyjna (LED) emitująca promieniowanie podczerwone (IR), która optycznie jest sprzężona z fotodetektorem zapewniającym wysoki stopień wzmocnienia sygnału na wyjściu układu. Element dostępny jest w obudowie SO6L, której zmniejszone wymiary i niski profil umożliwiają zastosowania w układach o dużym stopniu integracji podzespołów, przy jednoczesnym zachowaniu wymaganej izolacji galwanicznej.
Związany z transoptorem maksymalny szczytowy prąd wyjściowy IOP nie przekracza 1 A przy napięciu zasilania z zakresu: 10–30 V DC. Czasy propagacji zarówno tPHL, jak i tPLH wynoszą 500 ns, a pobór prądu podczas pracy nie przekracza 5 mA. Co więcej, napięcie przebicia to 5 kV. Wszystkie podane wartości określono dla przedziału temperatury roboczej: od −40 do 125°C. Parametry izolacyjne transoptora spełniają wymagania norm: UL 1577, EN 60747-5-5 i EN IEC 62368-1. Zgodność potwierdzona jest także według wymogów: cUL i GB 4943.1-2022.
Transoptor TLP5791H przeznaczony jest zwłaszcza do sterowania tranzystorami mocy IGBT oraz do użycia w takich rozwiązaniach jak: układy energoelektroniczne, falowniki, czy nagrzewnice indukcyjne.
Więcej na: toshiba.semicon-storage.com
