Szybkie diody Schottky’ego 500...1000 mA do przetwornic DC-DC
Toshiba wprowadza na rynek serię szybkich diod Schottky’ego CUSxxF30 o dopuszczalnym napięciu przebicia 30 V i prądzie przewodzenia od 500 do 1000 mA, zaprojektowanych do zastosowań w układach impulsowych, m.in. przetwornicach DC-DC i ładowarkach akumulatorów.
Do produkcji tych elementów wykorzystano zmodyfikowany proces technologiczny, pozwalający uzyskać niższe napięcie przewodzenia i bardzo mały prąd upływu rzędu 5 µA, a w konsekwencji mniejsze straty mocy.
W zależności od typu diody napięcie przewodzenia wynosi od 0,38 V @ IF=500mA do 0,43 V @ IF=1000 mA, a wewnętrzna pojemność odpowiednio 120...170 pF. Diody serii CUSxxF30 są zamykane w obudowach SOD323, a wersje 500 mA również w miniaturowych obudowach CST2B o powierzchni 1,2 x 0,8 mm i grubości 0,4 mm.
