Półmostkowy moduł IGBT o parametrach znamionowych 1200 V/600 A
Do oferty firmy Littelfuse trafił nowy półmostkowy moduł IGBT o oznaczeniu MG12600WB-BR2MM, charakteryzujący się napięciem znamionowym 1200 V i większym dopuszczalnym prądem przewodzenia od wcześniejszych wersji (600 A vs. 450 A).
Jest to moduł wielochipowy zamykany w standardowej obudowie o wymiarach 152 x 62 x 17 mm, mogący być stosowany wymiennie ze starszymi modelami. Pozwala ograniczyć powierzchnię płytki drukowanej oraz zwiększyć niezawodność ze względu na mniejszą liczbę punktów połączeniowych w porównaniu z podobnymi obwodami realizowanymi na elementach dyskretnych.
Jego zakres zastosowań obejmuje serwonapędy, falowniki instalacji fotowoltaicznych, zasilacze UPS i spawarki. Dzięki zastosowaniu technologii Trench-gate field stop IGBT, model MG12600WB-BR2MM zapewnia małe straty na przewodzenie i przełączanie.
Charakteryzuje się małym napięciem nasycenia (1,7 V), krótkimi czasami przełączania i dodatnim współczynnikiem temperaturowym umożliwiającym równoległe łączenie wyjść kilku modułów. Pracuje przy dopuszczalnej temperaturze złącza równej +175°C.
