Nowa generacja planarnych MOSFETów 600 V o obniżonej emisji elektromagnetycznej

Toshiba Electronics Europe dodaje do oferty nową generację 600-woltowych planarnych tranzystorów MOSFET π-MOS IX, w których dzięki zmodyfikowanej strukturze chipa obniżono o 5 dB poziom emisji elektromagnetycznej przy zachowaniu małych strat mocy w stosunku do tranzystorów wcześniejszej generacji π-MOS VII.

\r\n

Tranzystory π-MOS IX zostały zaprojektowane do zastosowań w zasilaczach małej i średniej mocy, np. stosowanych w laptopach, zasilaczach sieciowych, konsolach do gier czy w systemach oświetleniowych.

Obecnie oferta obejmuje cztery wersje: TK1K9A60F, TK1K2A60F, TK750A60F i TK650A60F o rezystancji RDS(ON) od 0,65 do 1,9 Ω, zamykane w obudowach TO-220SIS. W najbliższym czasie Toshiba planuje wprowadzenie na rynek również wersji o napięciach zasilania 500 i 650 V.

ID PD VDSS VGSS
TK1K9A60F 3,7 A 30 W 600 V ±30 V
TK1K2A60F 6 A 35 W
TK750A60F 10 A 40 W
TK650A60F 11 A 45 W