Tranzystory IGBT 650 V/40 A w obudowach D2PAK

Infineon Technologies powiększa ofertę tranzystorów IGBT linii TRENCHSTOP 5 o nowe wersje 650-woltowe produkowane na zakres prądów do 40 A. Są one zamykane w obudowach TO-263-3 (D2PAK) w wariantach z 40-amperową diodą równoległą oraz bez diody. Zostały zaprojektowane na potrzeby aplikacji o dużej gęstości upakowania podzespołów, montowanych na zautomatyzowanych liniach produkcyjnych. Typowe przykłady to falowniki systemów fotowoltaicznych, zasilacze UPS i ładowarki akumulatorów.

Proces produkcyjny TRENCHSTOP 5 pozwala na realizację tranzystorów o dużej gęstości mocy w mniejszych niż dotąd obudowach. W porównaniu z wcześniejszymi tranzystorami zamykanymi w obudowach D2PAK, tranzystory nowej rodziny charakteryzują się większą o 25% mocą znamionową, pozwalającą zmniejszyć liczbę tranzystorów łączonych równolegle.

Stanowią też alternatywę dla tranzystorów o zbliżonych parametrach, produkowanych w większych obudowach typu TO-247. Nowa oferta obejmuje tranzystory IGBT o prądach znamionowych 15, 10, 30 i 40 A. W sumie dostępnych jest 7 wersji z wbudowaną diodą równoległą (ozn. IKBxxN65Ex5) i 3 wersje bez diody (ozn. IGBxxN65x5).

Mogą one pracować z częstotliwością przełączania nawet do 100 kHz.