Tranzystory MOSFET z wbudowanym zabezpieczeniem przepięciowym bramki
Toshiba wprowadza na rynek serię tranzystorów MOSFET ze strukturą active-clamp, zaprojektowanych specjalnie do sterowania obciążeń o charakterze indukcyjnym, takich jak przekaźniki elektromechaniczne czy zawory elektromagnetyczne. SSM3K357R i SSM6N357R zawierają wewnętrzne elementy chroniące przed przepięciami powodowanymi przez siłę przeciw-elektromotoryczną: diodę Zenera umieszczoną między bramką i drenem, rezystor szeregowy i rezystor polaryzujący pull-down, pozwalającymi ograniczyć liczbę elementów współpracujących i powierzchnię płytki drukowanej.
Oba tranzystory pracują z maksymalnym napięciem VDSS równym 60 V i maksymalnym prądem drenu 0,65 A. Charakteryzują się małą rezystancją RDS(on) równą 800 m przy VGS=5 V, co ogranicza wydzielanie ciepła. Mogą pracować z napięciem sterowania bramki już od 3,0 V. Zawierają zabezpieczenie przed wyładowaniami ESD do 2 kV HBM.
Uzyskały kwalifikację AEC-Q101 pozwalającą na zastosowania w motoryzacji. SSM3K357R to tranzystor pojedynczy, zamykany w obudowie SOT-23F o wymiarach 2,9 x 2,4 x 0,8 mm. SSM6N357R to tranzystor podwójny, zamykany w obudowie TSOP6F o wymiarach 2,9 x 2,8 x 0,8 mm, pozwalającej ograniczyć powierzchnię montażową o blisko połowę w porównaniu z dwoma oddzielnymi rezystorami.
