Wraz z rosnącym stopniem złożoności produktów końcowych, rosną też wymogi odnośnie parametrów stosowanych w nich zasilaczy, w tym zapewnienia jak największej mocy wyjściowej i sprawności w jak najmniejszej przestrzeni montażowej. Jednymi z najważniejszych komponentów zasilaczy impulsowych są tranzystory mocy. Od kilku lat można zauważyć wzrost zainteresowania tranzystorami mocy produkowanymi w obudowach SMD, aczkolwiek barierą stojącą na przeszkodzie uzyskiwania w nich coraz większej sprawności energetycznej jest szybkość odprowadzania ciepła.
Rozwiązaniem tego problemu mogą być nowo opracowane przez firmę Infineon obudowy Double DPAK (DDPAK), będące pierwszymi tego typu konstrukcjami z chłodzeniem od góry. Produkowane w nich tranzystory mogą znaleźć zastosowanie w układach zasilających serwerów, systemów telekomunikacyjnych i solarnych oraz wysokiej klasy komputerów PC, pozwalając zapewnić krótkie czasy przełączania przy małych wymiarach i masie tranzystora.
Obecnie w obudowach Double DPAK są produkowane 600-woltowe tranzystory MOSFET rodziny CoolMOS G7 SJ o ciągłym prądzie drenu do 47 A i 650-woltowe diody Schottky’ego CoolSiC G6 o prądzie przewodzenia do 20 A.
Zastosowane tu podwójne wyprowadzenie źródła w 4-wyprowadzeniowej obudowie pozwala dostarczać niezakłócony sygnał sprzężenia zwrotnego do układu sterowania tranzystora i zwiększyć sprawność energetyczną w zakresie dużych obciążeń.
| VDS | RDS(on) maks. | ID maks. | ID maks. (w impulsie) | QG | |
| IPDD60R050G7 | 600 V | 50 mΩ | 47 A | 135 A | 68 nC |
| IPDD60R080G7 | 80 mΩ | 29 A | 83 A | 42 nC | |
| IPDD60R125G7 | 125 mΩ | 20 A | 54 A | 27 nC | |
| IPDD60R150G7 | 150 mΩ | 16 A | 45 A | 23 nC | |
| IPDD60R190G7 | 190 mΩ | 13 A | 36 A | 18 nC |
Więcej na: www.infineon.com