MOSFETy w obudowach LFPAK56 o drodze upływu dren-źródło zwiększonej do 1,5 mm
Nexperia dodaje do oferty dwa tranzystory MOSFET zamykane w obudowach LFPAK56, których zwiększona droga upływu dren-źródło i zwiększony odstęp izolacyjny spełniają wymogi normy UL2595 dla urządzeń bateryjnych zasilanych napięciem z zakresu od 15 do 32 V. Są one w pełni kompatybilne z tranzystorami zamykanymi w obudowach Power-SO8; żadna inna, małogabarytowa obudowa SMD nie zapewnia minimalnego wymaganego odstępu izolacyjnego i drogi upływu, wynoszących 1,5 mm między drenem i źródłem, określonych w normie UL2595.
W odróżnieniu od konkurencyjnych tranzystorów w obudowach Power-SO8 z drucikami połączeniowymi wire bond, stosowane przez firmę Nexperia obudowy LFPAK56 wykorzystują połączenia miedziane copper clip lutowane w pojedynczym procesie technologicznym do podłoża obudowy.
Obniża to rezystancję wyprowadzeń, poprawia odprowadzanie ciepła i zwiększa niezawodność. PSMN0R9-30ULD i PSMN1R0-40ULD to tranzystory n-kanałowe o napięciu znamionowym, rezystancji RDS(on) i dopuszczalnym prądzie drenu wynoszącym odpowiednio 30 V/0,87 mΩ/300 A i 40 V/1,1 mΩ/280 A.
