Samochodowy tranzystor MOSFET o rezystancji RDS(on) równej 0,9 mΩ
BUK9J0R9-40H to wysokoprądowy tranzystor MOSFET zaprojektowany do zastosowań w elektronice samochodowej, wyróżniający się rezystancją RDS(on) ograniczoną do zaledwie 0,9 mΩ. Jest tranzystorem superzłączowym z kwalifikacją AEC-Q101, zrealizowanym w procesie technologicznym Trench 9. Jest zamykany w wytrzymałej mechanicznie obudowie LFPAK56E o bardzo dobrych właściwościach termicznych i ograniczonej nawet o ponad 80% powierzchni montażowej w stosunku do modułów bare die oraz obudów D2PAK i D2PAK-7.
Charakteryzuje się napięciem przebicia 40 V i dopuszczalnym ciągłym prądem drenu równym 220 A, największym wśród tranzystorów do motoryzacji produkowanych w obudowach o powierzchni odpowiadającej standardowi Power-SO8. Do tego jest tranzystorem tańszym od odpowiedników produkowanych w większych obudowach D2Pak, zapewniających jak dotąd najkorzystniejsze parametry w zastosowaniach samochodowych.
Ze względu na małe wymiary, BUK9J0R9-40H jest polecany zwłaszcza do samochodowych aplikacji safety-critical wymagających stosowania obwodów redundantnych. Ponadto, dzięki zastosowaniu technologii superzłączowej charakteryzuje się szerokim zakresem bezpiecznej pracy (SOA), zwiększającym odporność na uszkodzenie w stanach awaryjnych.
