Podwójny 25-woltowy MOSFET o dużej gęstości mocy do układów zasilania serwerów

Firma Alpha and Omega Semiconductor, specjalizująca się w produkcji podzespołów półprzewodnikowych dużej mocy, opracowała podwójny tranzystor MOSFET XSPairFET oznaczony symbolem AONX38168, przeznaczony do zastosowań w przetwornicach impulsowych. Zawiera on 25-woltowe n-kanałowe tranzystory high-side i low-side o parametrach zoptymalizowanych do ograniczenia strat odpowiednio przy przełączaniu (małe pojemności wewnętrzne) i przewodzeniu (mała rezystancja kanału).

XSPairFET AONX38168 jest produkowany w obudowie SMD o powierzchni 6 x 5 mm, wyróżniającej się małą indukcyjnością pasożytniczą, ograniczającą amplitudę oscylacji przy przełączaniu. Do jego zalet należy też duża gęstość mocy w porównaniu z układami konkurencyjnymi, poprawione parametry termiczne oraz zmniejszony poziom generowanych zaburzeń elektromagnetycznych.

AONX38168 jest polecany do zastosowań w układach zasilania serwerów i sprzętu telekomunikacyjnego. Jego ceny hurtowe zaczynają się od 1,7 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.