Superzłączowy tranzystor MOSFET 650 V/57 A dla przemysłu

Toshiba wprowadza na rynek nową generację 650-woltowych superzłączowych tranzystorów MOSFET dużej mocy, zaprojektowanych do zastosowań w systemach przemysłowych. Pierwszym tranzystorem nowej serii DTMOS VI jest TK040N65Z, mogący pracować z ciągłym prądem drenu do 57 A (do 228 A w impulsie). Cechuje się on rezystancją R_DS(on) wynoszącą typowo 33 mW, zapewniającą bardzo małe straty mocy przy przewodzeniu.

Równocześnie, jego mała pojemność wewnętrzna pozwala na zastosowania w zasilaczach o dużej częstotliwości taktowania. Współczynnik FOM (R_DS(ON) x Qgd) jest tu mniejszy o 40% od poprzednich tranzystorów DTMOS IV-H, zapewniając znaczący wzrost sprawności, wynoszący przykładowo 0,36% dla układu PFC o mocy 2,5 kW. TK040N65Z jest zamykany w standardowej obudowie TO-247, dzięki czemu może stanowić bezpośredni zamiennik dla tranzystorów stosowanych we wcześniejszych konstrukcjach.