1200-woltowe moduły mocy z tranzystorami CoolSiC MOSFET

Wraz ze stale rosnącą popularnością samochodów elektrycznych i hybrydowych, rośnie też popyt na systemy ładowania akumulatorów o dużej sprawności energetycznej. Moduły tranzystorów MOSFET, produkowane do tego typu zastosowań są często oparte na technologii SiC zapewniającej dużą gęstość prądu i małe straty mocy.

Do oferty firmy Infineon trafiły w ostatnim czasie dwa nowe moduły mocy EasyPACK zrealizowane w technologii SiC, Easy 1B i Easy 2B. Są to moduły o napięciu znamionowym 1200 V, mogące poza motoryzacją znaleźć zastosowanie również w zasilaczach UPS. Różnią się topologią. Easy 1B (ozn. F4-23MR12W1M1_B11) zawiera cztery wewnętrzne tranzystory MOSFET o nominalnym prądzie ciągłym 50 A (100 A w impulsie), a Easy 2B (F3L15MR12W2M1_B69) zawiera dwa wewnętrzne tranzystory o prądzie nominalnym 75 A (150 A w impulsie). W obu modelach znajduje się ponadto termistor NTC do pomiaru temperatury wewnętrznej. Easy 1A i Easy 1B charakteryzują się czasami narastania/opadania rzędu 8…18 ns i indukcyjnością resztkową (LSCE) na poziomie 10…12 nH. Mogą być łatwo i szybko montowane bez konieczności lutowania. Pracują w zakresie dopuszczalnych temperatur złącza od -40 do +150°C.