1700-woltowe tranzystory CoolSiC MOSFET do układów zasilania

Infineon Technologies uzupełnia ofertę tranzystorów CoolSiC MOSFET o kolejną klasę napięciową. Po wprowadzonych wcześniej w tym roku tranzystorach 650-woltowych, obecnie do oferty firmy wchodzą trzy nowe wersje o napięciu znamionowym 1700 V: IMBF170R1K0M1, IMBF170R650M1 i IMBF170R450M1.

Tranzystory te różnią się między sobą rezystancją R_DS(on), wynoszącą odpowiednio 1000, 650 i 450 mΩ oraz maksymalnym prądem drenu, odpowiednio 5,2 A, 7,4 A i 9,8 A. Pracują z napięciem progowym bramki 4,5 V. Są produkowane w 7-wyprowadzeniowych obudowach TO-263 o drodze upływu i odstępie izolacyjnym powyżej 7 mm. Ich najważniejszymi zaletami są duża niezawodność oraz małe straty przy przewodzeniu i przełączaniu, wynikające z małej rezystancji kanału i małej pojemności wewnętrznej, typowej dla tranzystorów o strukturze Trench. Tranzystory IMBF170R1K0M1, IMBF170R650M1 i IMBF170R450M1 są polecane do zastosowań w falownikach systemów solarnych oraz zasilaczach i ładowarkach przemysłowych. Mogą pracować przy maksymalnej temperaturze złącza +175°C.