Tranzystory SiC MOSFET o napięciach przebicia 3300 V i 1700 V do systemów fotowoltaicznych
W niektórych aplikacjach, m.in. 1500-woltowych falownikach systemów fotowoltaicznych, tranzystory MOSFET w zasilaczu pomocniczym muszą wytrzymywać napięcia nawet do 2500 V w zależności od przekładni transformatora i napięcia wejściowego/wyjściowego. Tranzystory MOSFET o dużym napięciu przebicia eliminują potrzebę stosowania przełączników łączonych szeregowo w konwerterach flyback, boost i forward, co zmniejsza liczbę podzespołów i złożoność obwodu. Opracowane przez firmę GeneSiC nowe tranzystory SiC MOSFET o napięciu znamionowym 3300 V i 1700 V pozwalają projektantom na stosowanie prostszej topologii opartej na pojedynczym przełączniku, a równocześnie charakteryzują się dużą niezawodnością, małymi gabarytami i niską ceną.
Obecnie do oferty firmy GeneSiC wchodzi 5 nowych tranzystorów SiC MOSFET różniących się napięciem przebicia, rezystancją kanału i typem obudowy. Wszystkie one charakteryzują się małym współczynnikiem FOM (RDS(on) x QG), małą pojemnością wewnętrzną, małymi stratami w szerokim zakresie temperatury pracy, odpornością na zwarcie i szerokim zakresem dopuszczalnej temperatury pracy od -55 do +175°C. Poza systemami energii odnawialnej, mogą też znaleźć zastosowanie m.in. w układach napędowych silników indukcyjnych i przemysłowych systemach oświetleniowych.
