Moduły o dużej gęstości mocy SEMITOP E1/E2 z 1200-woltowymi tranzystorami SiC MOSFET

Moduły mocy najnowszej serii SEMITOP E1/E2 firmy Semikron, produkowane na bazie półprzewodników SiC, charakteryzują się bardzo dużą gęstością mocy i małą indukcyjnością komutacyjną, wynoszącą już od 4 nH. Zostały opracowane jako rozszerzenie linii SEMITOP 1-4, mogące dzięki jeszcze większej gęstości mocy znaleźć zastosowanie w aplikacjach do 200 kW. Występują w wersjach o standardowym przemysłowym rozkładzie wyprowadzeń z podwójnym wyprowadzeniem źródła i zintegrowanym czujnikiem temperatury. W porównaniu z wcześniejszymi wersjami zapewniają mniejszą o 20% rezystancję termiczną, pozwalającą obniżyć temperaturę pracy i ułatwić projektowanie układu chłodzenia.

Moduły serii SEMITOP E1/E2 bazują na 1200-woltowych tranzystorach SiC MOSFET i są produkowane na zakres prądów znamionowych od 40 do 250 A. Oferta obejmuje m.in. wersje o topologii mostkowej (H-Bridge), półmostkowej (Half-bridge), 3-fazowego falownika (Sixpack) i TNPC. Zakres zastosowań obejmuje zasilacze UPS, instalacje fotowoltaiczne, systemy gromadzenia energii, układy napędowe oraz ładowarki samochodowe.