Nowe układy mocy rodziny MasterGaN do zastosowań w energooszczędnych przetwornicach DC-DC
STMicroelectronics SA oddział w Polsce
Oferta układów mocy MasterGaN firmy STMicroelectronics, obejmująca wcześniej wersje MasterGaN1, MasterGaN2 i MasterGaN4, produkowane na zakres mocy znamionowych od 65 do 400 W, powiększyła się o dwie nowe serie: MasterGaN3 (45 W) i MasterGaN5 (150 W), zapewniając projektantom większą elastyczność w doborze komponentów do realizacji zasilaczy impulsowych, ładowarek, układów korekcji PFC i przetwornic DC-DC.
Są to układy obejmujące dwa 650-woltowe tranzystory GaN HEMT połączone w układzie półmostkowym wraz z dopasowanymi do nich wysokonapięciowymi sterownikami bramek high-side i low-side. W porównaniu z tradycyjnymi układami zasilania opartymi na tranzystorach krzemowych, pozwalają one uzyskać znaczną redukcję masy i objętości (nawet do 80%) przy równoczesnym zapewnieniu dużej wydajności prądowej i gęstości mocy. Ponadto, są układami o dużej niezawodności i odporności na trudne warunki pracy.
Układy MasterGaN3, zawierające tranzystory o asymetrycznej rezystancji RDS(on) wynoszącej 225 mΩ (LS) i 450 mΩ (HS), nadają się do zastosowań w przetwornicach soft-switching i z układem aktywnego prostownika. Ich dopuszczalny prąd IDS(maks.) wynosi 6,5 A (LS) i 4 A (HS). Układy MasterGaN5 z tranzystorami symetrycznymi o rezystancji RDS(on) równej 450 mΩ, nadają się do konwerterów o topologii rezonansowej LLC oraz Active Clamp Flyback. Ich dopuszczalny prąd IDS(maks.) wynosi 4 A.
Podobnie, jak wcześniejsze wersje, również nowe układy MasterGaN3 i MasterGaN5 zawierają wejścia sterujące, kompatybilne z układami logicznymi o napięciu zasilania od 3,3 do 15 V, co ułatwia współpracę z mikrokontrolerami, układami DSP i FPGA oraz elementami współpracującymi, takimi jak czujniki Halla. Zawierają zabezpieczenie podnapięciowe sekcji low-side i high-side, zabezpieczenie termiczne i wejście shutdown. Producent oferuje do nich płytki ewaluacyjne (EVALMASTERGAN3, EVALMASTERGAN5) z układami generującymi sygnały sterujące komplementarne i asymetryczne, programowalnym generatorem czasu martwego oraz wyprowadzeniami do podłączenia zewnętrznej diody bootstrap i rezystora pomiarowego low-side.
Układy MasterGaN3 i MasterGaN5 są produkowane w obudowach GQFN o powierzchni 9 x 9 mm z 2-milimetrową drogą upływu pomiędzy elektrodami nisko- i wysokonapięciowymi. Ich ceny hurtowe wynoszą od 5,77 USD do 6,08 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.
