1200-woltowe tranzystory IGBT o małych stratach i dużej tolerancji na zwarcie

Firma Rohm wprowadza na rynek 4. generację 1200-woltowych tranzystorów IGBT, wyróżniających się małymi stratami i dużą odpornością na zwarcie. Są to tranzystory z kwalifikacją AEC-Q101, polecane do zastosowań w elektrycznych kompresorach i grzejnikach samochodowych oraz w falownikach do instalacji przemysłowych. Nowa oferta obejmuje 4 warianty (RGA80TRX2HR, RGA80TRX2EHR, RGA80TSX2HR i RGA80TSX2EHR) zamykane w 4-wyprowadzeniowych obudowach TO-247-4L z dodatkowym wyjściem emitera i 3-wyprowadzeniowych TO-247N. Dostępnych jest też 11 wariantów (ozn. SG84xxWN) dostarczanych w postaci nieobudowanych struktur półprzewodnikowych o powierzchni od 3,94 x 3,94 mm do 12,84 x 12,84 mm i grubości 130 µm. Wszystkie są odporne na krótkotrwałe zwarcie, do 10 µs przy T_j=25°C.

Nowe tranzystory "chipowe" SG84xxWN są produkowane na zakres prądów kolektora od 10 A do 200 A @ 25°C. Charakteryzują się napięciem nasycenia V_CE(sat) wynoszącym typowo 1,55 V. Tranzystory w obudowach TO-247 charakteryzują się dopuszczalnym prądem kolektora 69 A, napięciem nasycenia 1,6 V i zakresem dopuszczalnej temperatury pracy złącza od -40 do +175°C. Dwa warianty (RGA80TRX2EHR i RGA80TSX2EHR) zawierają szybką wewnętrzną diodę zabezpieczającą.

Tranzystory IGBT rodziny RGA z wcześniejszej oferty, znalazły zastosowanie m.in. w modułach mocy MiniSKiiP firmy Semikron Danfoss.