Nowe tranzystory IGBT 7 do fotowoltaiki i układów napędowych
Microchip prezentuje nową ofertę 30 tranzystorów IGBT 7 do fotowoltaiki i układów napędowych, dostępnych w różnych konfiguracjach i topologiach. Są one zamykane w standardowych obudowach D3 i D4 (62 mm), a także występują w wariantach SP6C, SP1F i SP6LI. Mogą pracować w temperaturze złącza do +175°C. Szeroki zakres napięcia i prądu znamionowego od 1200 do 1700 V oraz od 50 do 900 A, pozwala na ich zastosowania w wielu aplikacjach przemysłowych oraz z sektora lotniczego i militarnego. Dostępne już na rynku modele występują w topologiach między innymi przełącznika, mostka, mostka trójfazowego, choppera (boost i buck) oraz falownika trójpoziomowego typu T.
Tranzystory IGBT 7 charakteryzują się małym napięciem przewodzenia VCE i małym napięciem przewodzenia wewnętrznych diod zabezpieczających, co przekłada się na energooszczędną pracę, dużą gęstość mocy i dużą sprawność systemu. Ich dodatkowym atutem są obudowy o małej indukcyjności resztkowej, redukujące straty, przepięcia przy przełączaniu i poziom generowanych zaburzeń elektromagnetycznych.
