Firma SemiQ wprowadza na rynek nową serię 1700-woltowych tranzystorów planarnych SiC MOSFET o dużej niezawodności, zaprojektowanych specjalnie do sektora energii odnawialnej, przechowywania energii i motoryzacyjnego. Są one dostępne w postaci nieobudowanych struktur półprzewodnikowych (ozn. GP2T030A170X) oraz w 4-wyjściowych obudowach TO-247-4L z podwójnym wyprowadzeniem źródła (GP2T030A170H). Występują też w wariantach motoryzacyjnych z kwalifikacją AEC-Q101, oznaczonych symbolami odpowiednio AS2T030A170X i AS2T030A170H.
Tranzystory QSiC charakteryzują się mocą znamionową 564 W. Mogą pracować z maksymalnym prądem ciągłym 83 A @ 25°C (61 A @ 100°C) i maksymalnym prądem impulsowym 250 A @ +25°C. Ich rezystancja RDS(ON) wynosi 31 mΩ @ 25°C i 57 mΩ @ 125°C, prąd upływu bramki 10 nA, a czas regeneracji 17 ns. Tranzystory QSiC mogą pracować w temperaturze otoczenia sięgającej 175°C. Przeszły testy przepięciowe >1900 V i testy przebicia lawinowego do 600 mJ. Ponadto, wszystkie egzemplarze przechodzą test przesiewowy WLBI (wafer-level burn in).
Firma Semiq wprowadza równocześnie na rynek serię trzech modułów półmostkowych, zrealizowanych na bazie nowych tranzystorów. Dwa z nich są zamykane w obudowach SOT-227 (38,0 x 24,8 x 11,7 mm). Charakteryzują się mocą znamionową 652 W oraz maksymalnym prądem ciągłym drenu wynoszącym 123 A (GCMX015A170S1E1) i 88 A (GCMX030A170S1-E1). Oprócz małych strat impulsowych, wykazują też małą rezystancję termiczną, wynoszącą odpowiednio 0,19°C/W i 0,36°C/W. Izolowana konstrukcja umożliwia ich montaż bezpośrednio na radiatorze. Trzeci z nowych modułów, oznaczony symbolem GCMX005A170S3B1-N, jest zamykany w 9-pinowej obudowie S3 o wymiarach 106,4 x 61,4 x 30,9 mm. Charakteryzuje się mocą znamionową 2113 W oraz dopuszczalnym prądem ciągłym i impulsowym drenu odpowiednio 397 A i 700 A. Jego rezystancja termiczna wynosi 0,06°C/W.
Więcej na: www.semiq.com