Tranzystor MOSFET 650V/69A o rezystancji RDS(on) 38mΩ

STMicroelectronics rozpoczyna produkcję tranzystorów MOSFET nowej generacji MDmesh V, charakteryzujących się najmniejszym stosunkiem rezystancji kanału do powierzchni struktury. 

Tranzystory te są produkowane na napięcie znamionowe 650V i zamykane w obudowach TO-247, Max247, TO-220, TO-220FP, I2PAK, D2PAK, DPAK i IPAK. Pierwszy, dostępny już w sprzedaży tranzystor STW77N65M5 pracuje z maksymalnym prądem drenu 69A i charakteryzuje się rezystancją RDS(on) równą 38mΩ. W najbliższym czasie pojawi się kolejny model o oznaczeniu STY112N65M5, którego rezystancja RDS(on) będzie wynosiła 22mΩ.

Będzie on zamykany w obudowie Max247. Tranzystory MDmesh V są projektowane pod kątem zastosowań w układach zasilania serwerów, spawarkach, zasilaczach UPS, systemach oświetleniowych i przetwornicach napięcia w ogniwach słonecznych, gdzie najważniejszym czynnikiem ograniczającym sprawność są straty konduktancyjne. Cena STW77N65M5 wynosi 10,00 USD przy zamówieniach 1000 sztuk.