Toshiba Electronics po raz kolejny rozszerza rodzinę tranzystorów DTMOSVI. Do oferty wchodzi nowy model o symbolu TK057V60Z, wykonany w technologii superzłączowej, przeznaczony do pracy przy maksymalnym napięciu dren-źródło równym 600 V. Jest to jest tranzystor n-kanałowy o maksymalnym ciągłym prądzie drenu równym 40 A, ładunku bramka-dren 15 nC oraz średniej i maksymalnej wartości RDS(ON) odpowiednio 0,047 Ω i 0,057 Ω. Maksymalny prąd impulsowy wynosi 160 A i jest ograniczony temperaturą pracy kanału (do +150°C).
TK057V60Z jest zamykany w obudowie DFN 8 x 8 mm z podwójnym wyprowadzeniem źródła, ograniczającym wpływ indukcyjności resztkowej na proces przełączania. W porównaniu z tranzystorami wcześniejszej rodziny DTMOSIV-H, zredukowano w nim współczynnik FoM o około 36% oraz iloczyn RDS(ON) i Qdg o około 52%, co przekłada się na mniejsze straty przewodzenia i przełączania w przetwornicach impulsowych. Producent udostępnia modele SPICE: G0 do szybkiej weryfikacji funkcjonalnej oraz G2 do precyzyjnego odwzorowania charakterystyk dynamicznych i przejściowych. TK057V60Z jest polecany do zastosowań w zasilaczy serwerowych w centrach danych, zasilaczy UPS i falowników w systemach fotowoltaicznych.
Więcej na: www.toshiba.semicon-storage.com
