Pierwotnie moduły QSiC Dual3 - o napięciu znamionowym 1200 V, powstały z myślą o budowie nowoczesnych przekształtników energoelektronicznych. W podzespołach, których producentem jest firma SemiQ, stosowane są tranzystory MOSFET wykonane z węglika krzemu (SiC), cechujące się niską rezystancją w stanie przewodzenia RDS(on) z przedziału: 1-2 mΩ. Takie wartości parametru przekładają się wprost na możliwie najwyższą sprawność pracy rozwiązań. W zależności od wariantów moduły osiągają gęstość mocy na poziomie 240 W/in³, zachowując przy tym kompaktową obudowę o wymiarach: 6,2×15,2 cm. Dodatkowym atutem jest efektywne odprowadzanie ciepła, które pozwala obyć się bez stosowania aktywnych układów chłodzenia.
Seria QSiC Dual3 została pomyślana jako atrakcyjna alternatywa dla modułów opartych na tranzystorach IGBT. Jej zastosowanie zwykle nie wymaga wprowadzania gruntownych zmian w konstrukcji urządzeń - w większości przypadków wystarczają drobne korekty z zakresu sterowania i torów mocy. Korzyścią jest również zmniejszona waga rozwiązań, a ponadto ich niewielkie gabaryty zdecydowanie ułatwiają integrację z pozostałymi elementami systemu.
Moduły serii znajdują zastosowania w szerokim wachlarzu aplikacji. Wykorzystywane są one m.in. w: napędach silników elektrycznych i przekształtnikach sieciowych obecnych w systemach magazynowania energii, a także w układach zasilania i chłodzenia centrów danych. Decydujące zalety produktów stają się zauważalne zwłaszcza w aplikacjach dużej mocy – takich jak np. agregaty chłodnicze. W tego rodzaju rozwiązaniach moduły QSiC Dual3 pozwalają obniżyć koszty eksploatacyjne, jednocześnie zwiększając niezawodność całego systemu. Dzięki temu, urządzenia mogą pracować stabilnie nawet w trudnych warunkach, ograniczając potrzebę częstych przeglądów i serwisowania w perspektywie miesięcy, wielu lat, a nawet dłużej.
Więcej na: semiq.com
