IBB020A33GM4 to moduł firmy Wolfspeed zawierający cztery tranzystory MOSFET połączone w konfiguracji mostka H. Mowa tu o podzespołach z kanałem wzbogacanym typu n, które charakteryzuje podłoże wytworzone z węglika krzemu (SiC). Elementy półprzewodnikowe opisują parametry takie jak: napięcie przebicia pomiędzy drenem i źródłem V(BR)DSS równe 3,3 kV, napięcie "bramka-źródło" VGS w zakresie: od -10 do 23 V, prąd drenu ID typowo 95 A oraz rezystancja w stanie przewodzenia RDS(ON), która osiąga 20 mΩ.
Dodatkowo dopuszczalna temperatura złącza Tj ma wartość 175°C. Z kolei transkonduktancja gfs to przykładowo 67 S, jeśli prąd ID=80 A i napięcie "dren-źródło" VDS=20 V. Rozwiązanie jest zgodne z poszczególnymi standardami branżowymi. Jego wymiary nie przekraczają: 6,28×5,67 cm. Jest to produkt zaprojektowany do działania w energoelektronicznych układach przekształtnikowych (i nie tylko). Dla modułu dostępna jest obszerna dokumentacja techniczna wraz z modelami symulacyjnymi SPICE, a wbudowany termistor cechuje ujemny współczynnik temperaturowy (NTC) i warunkuje niezawodną pracę IBB020A33GM4.
Więcej na: www.wolfspeed.com
