IX800FXF2YMS4 to nowy produkt firmy Toshiba. Dwukanałowy moduł mocy zbudowany na tranzystorach MOSFET o podłożu wykonanym z węglika krzemu (SiC) oraz parametrach takich jak: napięcie "dren-źródło" VDS równe 3,3 kV, ciągły prąd drenu ID maksymalnie 800 A (dla porównania impulsowy prąd drenu IDP to 1,6 kA), napięcie „bramka-źródło” VGS z przedziału od −10 do 25 V i dopuszczalna temperatura kanału do 175°C.
Energia strat podczas załączania układu wynosi typowo 185 mJ. Przy jego wyłączaniu jest to wartość 175 mJ. Indukcyjność pasożytnicza nie przekracza 12 nH, natomiast napięcie przebicia izolacji określono na 6 kV AC.
Rozwiązanie dostępne jest w obudowie iXPLV o wymiarach 14,4×9,95×4 cm. Znajduje ono zastosowanie m.in. w falownikach, transformatorach półprzewodnikowych (SST) i sterownikach przemysłowych (UPS) oraz także w zasilaczach awaryjnych (UPS), przekształtnikach trakcyjnych, magazynach energii i systemach wytwarzania prądu ze źródeł odnawialnych (OZE).
Więcej na: toshiba.semicon-storage.com
