Tranzystory MOSFET dużej mocy o napięciu znamionowym do 650V i prądzie drenu do 20A

Tranzystory MOSFET dużej mocy nowej serii TK są produkowane na napięcie znamionowe do 650V i dopuszczalny prąd drenu do 20A. Występują w dwóch typach obudów, TO-3P(N) i TO220SIS o wymiarach odpowiednio 10 x 15 x 4,5mm i 15,9 x 20 x 5mm.

Są przeznaczone do zastosowań w szybkich układach przełączających, m.in. w obwodach korekcji PFC i stabilizatorach systemów oświetleniowych. Charakteryzują się małym ładunkiem bramki, ograniczającym straty przy dużych częstotliwościach przełączania. W zależności od wersji rezystancja R_DS(on) wynosi od 0,37Ω do 5Ω.