30-woltowy tranzystor p-MOS w obudowie PowerPAK 1212-8

Najnowszy 30-woltowy tranzystor p-MOS firmy Vishay, Si7625DN jest zamykany w obudowie PowerPAK 1212-8 o powierzchni wynoszącej jedynie 3,3 x 3 3mm. Został wykonany w technologii TrenchFET trzeciej generacji, zapewniającej bardzo małą rezystancję kanału R_DS(on). 

Wynosi ona 7mΩ przy V_GS=10V i 11mΩ przy V_GS=4,5V. Si7625DN jest polecany do zastosowań jako przełącznik zasilania w urządzeniach przenośnych, którego mała rezystancja wewnętrzna pozwala zmniejszyć do minimum straty mocy.

W porównaniu z poprzednimi tranzystorami produkowanymi w obudowach PowerPAK 1212-8 rezystancję przewodzenia Si7625DN ograniczono o około 30-40%.