Mikrofalowe tranzystory GaAs FET 18W i 30W na pasmo Ku

Toshiba rozszerza ofertę tranzystorów mikrofalowych GaAs FET na pasmo Ku o dwa nowe modele przeznaczone do pracy w łączach mikrofalowych i systemach komunikacji satelitarnej.

TIM1213-18L i TIM1213-30L charakteryzują się mocą znamionową odpowiednio 18 i 30W, dwukrotnie większą od wcześniejszych modeli przy zbliżonych wielkościach obudów. Dotychczas oferta firmy Toshiba obejmowała tranzystory 2, 4, 8, 10 i 15W.

TIM1213-18L wykazuje 1-decybelową kompresję wzmocnienia (P1dB) na poziomie 42,5 dBm, wzmocnienie mocy w punkcie P1dB równe 6,0dB i sprawność dodaną 28%. Dla TIM1213-30L wartości te wynoszą odpowiednio 45 dBm, 5,5dB i 23%. Oba tranzystory zostały zaprojektowane do pracy w zakresie częstotliwości od 12,7 do 13,2 GHz.