n-kanałowy MOSFET 60V/2,5A do układów zasilania łańcuchów diod LED

Toshiba Electronics rozszerza ofertę tranzystorów MOSFET o nowy tranzystor n-kanałowy zaprojektowany do zastosowań w układach impulsowych średniej mocy. SSM3K318T charakteryzuje się napięciem znamionowym 60V i dopuszczalnym prądem drenu 2,5A.

Jest zamykany w miniaturowej obudowie TCM o powierzchni 2,9 x 2,8mm i grubości 0,7mm. Nadaje się znakomicie do zastosowań m.in. w układach zasilania łańcuchów diod LED, gdzie istnieje konieczność podbicia niskiego napięcia wejściowego do kilkudziesięciu woltów. Rezystancja kanału R_DS(on) wynosi 83,5mΩ przy V_GS=10V, a pojemność wejściowa 235pF przy V_DS=30V.