Toshiba Electronics rozszerza ofertę tranzystorów MOSFET o nowy tranzystor n-kanałowy zaprojektowany do zastosowań w układach impulsowych średniej mocy. SSM3K318T charakteryzuje się napięciem znamionowym 60V i dopuszczalnym prądem drenu 2,5A.
Jest zamykany w miniaturowej obudowie TCM o powierzchni 2,9 x 2,8mm i grubości 0,7mm. Nadaje się znakomicie do zastosowań m.in. w układach zasilania łańcuchów diod LED, gdzie istnieje konieczność podbicia niskiego napięcia wejściowego do kilkudziesięciu woltów. Rezystancja kanału RDS(on) wynosi 83,5mΩ przy VGS=10V, a pojemność wejściowa 235pF przy VDS=30V.
Więcej na: www.toshiba-components.com