Energooszczędny n-kanałowy MOSFET 600V/20A o rezystancji RDS(on) równej 150mΩ

Renesas Electronics rozszerza ofertę wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET o nowy tranzystor z kanałem typu N, pozwalający ograniczyć straty mocy w zasilaczach i innych układach impulsowych. RJK60S5DPK charakteryzuje się napięciem V_DSS równym 600V i dopuszczalnym prądem drenu 20A.

Zapewnia ponad dwukrotnie mniejszą rezystancję kanału od wcześniejszych wersji (typ. 150mΩ przy I_D=10A i V_GSS=30V) i mniejszy o 80% ładunek bramka-dren (typ. Q_GD=6nC), co oznacza mniejsze straty przy pracy statycznej i dynamicznej. Jest zamykany w obudowie TO-3PSG. Może pracować w zakresie temperatur wewnętrznej struktury do +150°C.