Szybki 10-amperowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET/IGBT
Firma Diodes wprowadziła na rynek szybki 10-amperowy sterownik bramek tranzystorów MOSFET i IGBT zamykany w obudowie SOT26, oznaczony symbolem ZXGD3005E6. Układ zrealizowano w układzie wtórnika emiterowego, zapewniającego bardzo krótkie czasy przełączania tranzystorów.
Czas propagacji oraz czasy narastania/opadania sygnału nie przekraczają odpowiednio 10 i 20ns. Dzięki oddzielnym wyprowadzeniom sink i source, ZXGD3005E6 umożliwia niezależną kontrolę czasów narastania i opadania, pozwalając projektantom uzyskać preferowaną przez nich charakterystykę przełączania.
Szeroki zakres napięć zasilania wynoszący 25V pozwala na pełne wzbogacenie nośników w kanale tranzystora, co zmniejsza do minimum straty w stanie On oraz umożliwia sterowanie bramki w zakresie napięć od -5V do +15V, co z kolei zapobiega przypadkowemu włączeniu tranzystora IGBT.
ZXGD3005E6 pozwala uzyskać wydajność prądową 4A przy sterowaniu prądem o natężeniu zaledwie 1mA, dzięki czemu stanowi idealny interfejs pomiędzy mikrokontrolerem i przełącznikiem wyjściowym, eliminujący konieczność dodawania innych stopni buforujących.
